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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115580282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211345513.7，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关是由沈光煦;马海涛设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关在说明书摘要公布了：本发明公开一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关，属于基本电子电路的技术领域。该单刀双掷开关包括：第一射频端口、第一开关臂、第二开关臂、第二射频端口、第三射频端口，每个开关臂包含串并连接的两个晶体管，且串并连接的晶体管之间加载有电容，在与第一射频端口连接的输入匹配电路的输出端加载有短路电感，可以实现一个额外的带内传输极点，有效展宽带宽且降低导通状态开关臂的插入损耗，在保持芯片小型化的同时提高阻抗匹配带宽。

本发明授权一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关在权利要求书中公布了：1.一种电感加载的超宽带半导体单刀双掷开关，其特征在于，包括： 第一射频端口，与输入匹配电路的一端连接，输入匹配电路的另一端与短路电感的一端连接，短路电感的另一端接地； 第一开关臂，包括第一晶体管、第二晶体管、第一加载电容、第一输出匹配电路，第一晶体管的漏极作为第一开关臂的输入端与短路电感和输入匹配电路的连接点相连，第一晶体管的源极与第一加载电容的一极连接，第一晶体管的栅极连接第一直流端口，第一加载电容的另一极与第二晶体管的漏极、第一输出匹配电路的一端电连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的栅极连接第二直流端口，第一输出匹配电路的另一端为第一开关臂的输出端，所述第一直流端口和第二直流端口接入的逻辑电平相反； 第二开关臂，包括第三晶体管、第四晶体管、第二加载电容、第二输出匹配电路，第三晶体管的漏极作为第二开关臂的输入端与短路电感和输入匹配电路的连接点相连，第三晶体管的源极与第二加载电容的一极连接，第三晶体管的栅极连接第三直流端口，第二加载电容的另一极与第四晶体管的漏极、第二输出匹配电路的一端电连接，第四晶体管的源极接地，第四晶体管的栅极连接第四直流端口，第二输出匹配电路的另一端为第二开关臂的输出端，所述第三直流端口和第四直流端口接入的逻辑电平相反，第三直流端口和第一直流端口接入的逻辑电平相反，第四直流端口和第二直流端口接入的逻辑电平相反，两个开关臂中仅有一个开关臂处于导通状态，处于关断状态的开关臂中的加载电容、晶体管的等效电容与短路电感并联谐振形成一个额外的带内传输极点； 第二射频端口，与第一开关臂的输出端连接；及， 第三射频端口，与第二开关臂的输出端连接。

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