福建省晋华集成电路有限公司巫奉伦获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利对准偏差的测量方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115602564B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211185276.2,技术领域涉及:H10P74/20;该发明授权对准偏差的测量方法是由巫奉伦;夏忠平;王嘉鸿设计研发完成,并于2022-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本对准偏差的测量方法在说明书摘要公布了:本申请公开一种对准偏差的测量方法,包括:提供衬底;衬底上依序堆叠包括第三材料层、第二材料层和第一材料层,第一材料层上设有第一对准标记,第二材料层上设有第二对准标记,第三材料层上设有第三对准标记;量测第一对准标记与第二对准标记获取第一对准标记和第二对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X12和在第二方向上的对准偏差Y12,量测第一对准标记与第三对准标记获取第一对准标记和第三对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X13和在第二方向上的对准偏差Y13;根据所述偏差X12,X13,Y12,Y13确定至少一个方向的综合偏差;所述综合偏差用于表征对应方向发生的整体偏差。本申请能够准确测量刻蚀过程中的偏差。
本发明授权对准偏差的测量方法在权利要求书中公布了:1.一种对准偏差的测量方法,其特征在于,包括如下步骤: 提供衬底;所述衬底上依序堆叠包括第三材料层、第二材料层和第一材料层,所述第一材料层位于所述第二材料层上表面,所述第二材料层位于所述第三材料层上表面,所述第一材料层上设有第一对准标记,所述第二材料层上设有第二对准标记,所述第三材料层上设有第三对准标记;所述第一对准标记、所述第二对准标记和所述第三对准标记均为中心对称结构; 量测所述第一对准标记与所述第二对准标记获取所述第一对准标记和所述第二对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X12和在第二方向上的对准偏差Y12; 量测所述第一对准标记与所述第三对准标记获取所述第一对准标记和所述第三对准标记之间的在第一方向上的对准偏差X13和在第二方向上的对准偏差Y13;所述第一方向垂直于第二方向; 根据所述偏差X12,X13,Y12,Y13确定至少一个方向的综合偏差;所述综合偏差用于表征对应方向发生的整体偏差;所述综合偏差包括第一方向对应的第一综合偏差和第二方向的第二综合偏差;确定所述第一综合偏差方法包括:X=Wx12*X12+Wx13*X13;确定所述第二综合偏差方法包括:Y=Wy12*Y12或者Wy13*Y13;式中,Wx12表示对准偏差X12之权重,Wx13表示对准偏差X13之权重,X表示第一综合偏差,Wy12表示对准偏差Y12之权重,Wy13表示对准偏差Y13之权重,Y表示第二综合偏差。
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