西安电子科技大学宋庆文获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115602705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211126917.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法是由宋庆文;李靖域;袁昊;汤晓燕;张玉明;康皓博设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法，包括：SiC超级结结构包括若干间隔分布的P柱区和N柱区，P柱区和N柱区之间形成有PN结界面，PN结界面形成有缓冲层结构；缓冲层结构包括P柱缓冲层组和N柱缓冲层组，P柱缓冲层组邻接P柱区和N柱缓冲层组，N柱缓冲层组邻接N柱区和P柱缓冲层组；其中，P柱缓冲层组和N柱缓冲层组分别包括至少一个对应缓冲层。本发明提升了SiC超级结器件SiC超级结器件具有更好的抗荷偏特性、可靠性、高击穿电压特性。
本发明授权具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有梯度变化缓冲层结构的SiC超级结结构，所述SiC超级结结构包括若干间隔分布的P柱区和N柱区，所述P柱区和所述N柱区之间形成有PN结界面，其特征在于，所述PN结界面形成有缓冲层结构；所述缓冲层结构包括P柱缓冲层组和N柱缓冲层组，所述P柱缓冲层组邻接所述P柱区和所述N柱缓冲层组，所述N柱缓冲层组邻接所述N柱区和所述P柱缓冲层组；其中，所述P柱缓冲层组和N柱缓冲层组分别包括至少一个对应缓冲层；其中， 从所述N柱区至所述P柱区，N型离子浓度依次降低，P型离子浓度依次上升，且呈台阶非线性分布； 所述P柱缓冲层组和所述N柱缓冲层组分别包括一个对应缓冲层，该缓冲层对应的宽度均小于1μm； 或，所述P柱缓冲层组和所述N柱缓冲层组分别包括多个对应缓冲层；从所述N柱区至所述P柱区，所述N柱缓冲层组中多个对应缓冲层宽度依次递减，所述P柱缓冲层组中多个对应缓冲层宽度依次递增。
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