中国科学院上海高等研究院李中亮获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海高等研究院申请的专利一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115629094B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211129025.2，技术领域涉及：G01N25/00；该发明授权一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法是由李中亮;张越;司尚禹;薛莲设计研发完成，并于2022-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法，包括：在单色器的出光口处放置一块正交的分析晶体，同步辐射光束依次经过第一晶体、第二晶体、分析晶体后，产生衍射光束，衍射光束入射至成像探测器，获取第一晶体热变形时的杜蒙德图；根据杜蒙德图，获取第一晶体热变形时出射光强度在第一晶体；利用X射线仿真软件，获取不同失谐角下的出射光强度分布；根据出射光强度在第一晶体表面的分布和不同失谐角下的出射光强度分布，获取第一晶体表面不同位置的失谐角分布；构建几何模型，根据几何模型和第一晶体表面不同位置的失谐角分布，获取第一晶体表面不同位置的热变形分布，实现同步辐射分光晶体热负荷变形的测量。
本发明授权一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法在权利要求书中公布了：1.一种同步辐射分光晶体热负荷变形的测量方法，其特征在于，包括： 步骤S1，在单色器的出光口处放置一块与单色器的第一晶体和第二晶体空间正交的分析晶体，同步辐射光束依次经过所述第一晶体、所述第二晶体、所述分析晶体后，产生衍射光束，衍射光束入射至成像探测器，获取第一晶体热变形时的杜蒙德图； 步骤S2，根据所述杜蒙德图，获取第一晶体热变形时出射光强度在第一晶体表面的分布； 步骤S3，利用X射线仿真软件，获取不同失谐角下的出射光强度分布； 步骤S4，根据出射光强度在第一晶体表面的分布和不同失谐角下的出射光强度分布，获取第一晶体表面不同位置的失谐角分布； 步骤S5，构建几何模型，根据所述几何模型和第一晶体表面不同位置的失谐角分布，获取第一晶体表面不同位置的热变形分布，实现同步辐射分光晶体热负荷变形的测量。
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