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龙图腾网获悉深圳市大族半导体装备科技有限公司申请的专利激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115635183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211314605.9，技术领域涉及：B23K26/00；该发明授权激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件是由李春昊;翁铭杰;王金生;李迁;王博;仰瑞;巫礼杰;尹建刚;高云峰设计研发完成，并于2022-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件，激光剥离工件的方法，包括采用短脉波宽度的脉冲激光聚焦于工件内部的预设剥离面，以在所述工件内部的预设剥离面形成改质点，采用长脉波宽度的脉冲激光聚焦于所述改质点，以在所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹；沿所述预设剥离面将所述工件分割成第一工件单元与第二工件单元。本申请提供的激光剥离工件的方法，使得工件可以很容易的剥离，且可避免裂纹沿轴向方向延伸导致工件碎裂进而导致产品加工质量低下的问题，且可避免由于采用线锯切割的方式或机械减薄的方式导致材料损耗严重且效率低下等问题。

本发明授权激光剥离工件的方法及晶片、半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种激光剥离工件的方法，其特征在于：包括： 采用短脉波宽度的脉冲激光聚焦于工件内部的预设剥离面，以在所述工件内部的预设剥离面形成改质点，采用长脉波宽度的脉冲激光聚焦于所述改质点，以在所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹； 沿所述预设剥离面将所述工件分割成第一工件单元与第二工件单元； 所述采用短脉波宽度的脉冲激光聚焦于工件内部的预设剥离面，以在所述工件内部的预设剥离面形成改质点，采用长脉波宽度的脉冲激光聚焦于所述改质点，以在所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹具体包括： 激光器交替发出短脉波宽度的脉冲激光和长脉波宽度的脉冲激光，并沿预设扫描路径移动，以在所述剥离面形成若干间隔分布的所述改质点，并在每一所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹； 或者，第一激光器发出短脉波宽度的脉冲激光，并沿预设扫描路径移动，以在所述剥离面形成若干间隔分布的所述改质点；第二激光器发出长脉波宽度的脉冲激光，并沿预设扫描路径移动，以在每一所述改质点处形成改质区以及沿所述预设剥离面的径向方向延伸的裂纹。

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