中国科学院微电子研究所刘金彪获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利多晶薄膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732314B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211453568.X，技术领域涉及：H10P95/90；该发明授权多晶薄膜的制备方法是由刘金彪;罗军;贺小彬;李俊峰;杨涛设计研发完成，并于2022-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本多晶薄膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种多晶薄膜的制备方法，该制备方法包括：提供衬底；在衬底的表面刻蚀出凹槽；在凹槽的侧壁沉积非晶半导体材料，以形成侧墙结构；在凹槽内填充介质材料并进行平坦化处理，形成填充结构，填充结构的表面与衬底的表面平齐；在衬底的表面生长薄膜层，薄膜层覆盖侧墙结构和填充结构；激光热处理薄膜层的表面，以衬底上形成多晶薄膜。本发明能够降低多晶薄膜的制作成本。
本发明授权多晶薄膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶薄膜的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底的表面刻蚀出凹槽； 在所述凹槽的侧壁上沉积非晶半导体材料，以形成侧墙结构； 在所述凹槽内填充介质材料并进行平坦化处理，形成填充结构，所述填充结构的表面与所述衬底的表面平齐； 在所述衬底的表面生长薄膜层，所述薄膜层覆盖所述侧墙结构和所述填充结构，薄膜层的材料与侧墙结构的材料相同；在所述衬底的表面生长薄膜层的步骤之前，所述制备方法还包括：还原退火处理露出所述衬底表面的所述侧墙结构的表面； 激光热处理所述薄膜层的表面，以使所述薄膜层进行重结晶并形成多晶薄膜。
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