买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十五研究所申请的专利一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732406B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211497832.X，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法是由李杰;焦宗磊;姜理利;陈聪;王雷;黄旼;郁元卫设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法，包括准备衬底晶圆，并通过刻蚀在圆片上形成多种径深比的TSV盲孔；圆片表面含孔内沉积Cu种子层；采用变频流速的方法，实现高径深比异孔TSV的一次性完全填充。通过采用变频流速及调频层流板的方式，使基板孔周围形成“S”型流场，从而间断性调节各孔内的添加剂浓度及Cu离子浓度，使其充分保障各孔内填充能力，简单有效的实现了多种径深比异孔TSV的完全填充，解决了现有工艺中因分步多次填充带来的种子层损伤的工艺问题，以及解决了分步工艺的导致的工艺复杂性问题，同时完成了高径深比异孔TSV的一次性完全填充问题，有效的提高了工作效率，降低工艺成本。

本发明授权一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法在权利要求书中公布了：1.一种高径深比异孔TSV一次性填充的工艺方法，其特征在于：包括衬底材料层1、电镀填充层2、深盲孔3、浅盲孔4；所述深盲孔3以及浅盲孔4呈错位状开设在衬底材料层1上，所述电镀填充层2位于衬底材料层1的上层，且所述电镀填充层2填充满深盲孔3和浅盲孔4； 其工艺方法包括以下步骤： 步骤一、准备衬底，通过图形化刻蚀工艺制备圆片状衬底，并在衬底上刻蚀出多种径深比的TSV盲孔； 步骤二、对衬底经湿法清洗后，通过溅射在衬底圆片表面以及盲孔内覆盖种子层； 步骤三、通过阶段性的调节流速及调节摆动板，进行孔内药水交换； 其中，流速的变频频率为2-40min次，流速的流量速率为5-40Lmin， 进行孔内药水交换时，在阴极与阳极间增加摆动板，摆动板含孔径5mm-2cm均匀分布的小孔，且板中孔径可调，摆动板摆速1-100次min； 步骤四、通过采用射频脉冲电镀模式，经一次性电镀实现异孔TSV结构的完全填充，进行一次性金属填充。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国电子科技集团公司第五十五研究所，其通讯地址为：210016 江苏省南京市中山东路524号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。