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龙图腾网获悉广东氢芯智能科技有限公司申请的专利一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115747966B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211536886.2，技术领域涉及：C30B29/16；该发明授权一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备是由李健;曲恒绪;程少帅;胡金勇设计研发完成，并于2022-12-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备，其中：包括加热壳体，壳体上设置有出气口，壳体内设置有氯化镓通道结构、氧气通道结构以及生长盘，氯化镓通道结构包括依次连通的进气管、镓舟、第一匀气折流板以及喷涂管，氧气通道结构包括氧气进管和第二匀气折流板，氧气进管前端伸出至壳体外，生长盘为可旋转盘，生长盘上表面水平设置，待生长衬底置于生长盘上表面，生长盘内设置有驱动结构，驱动结构驱动生长盘转动，喷涂管下端和第二匀气折流板后端均正对着生长盘上表面，壳体上设置有出气口。本发明提出了六英寸氧化镓外延片的专用HVPE设备，通过仿真优化了相应的混气、匀气等结构，该结构和工艺能极大提高氧化镓沉积的均匀性。

本发明授权一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备在权利要求书中公布了：1.一种超宽禁带半导体材料氧化镓的外延生长装备，其特征是：包括壳体1，所述的壳体1上设置有出气口，所述的壳体1内设置有氯化镓通道结构2、氧气通道结构3以及生长盘4，所述的壳体1内填充惰性气体，所述的氯化镓通道结构2包括依次连通的进气管21、镓舟22、第一匀气折流板23以及喷涂管24，所述的进气管21前端伸出至壳体1外，氯化氢气体能通入进气管21，所述的镓舟22为内部装有镓的储存仓，所述的氯化氢气体在镓舟22中与镓反应生成氯化镓，氯化镓气体进入第一匀气折流板23前端，所述的第一匀气折流板23为宽度与待生长衬底直径相匹配、在长度方向上具有弯折的中空板，所述的第一匀气折流板23后端与喷涂管24上端连通，所述的氯化镓气体经第一匀气折流板23的内腔后，从喷涂管24喷出，所述的喷涂管24的宽度与待生长衬底直径相匹配，所述的氧气通道结构3包括氧气进管31和第二匀气折流板32，氧气进管31前端伸出至壳体1外，混有氧气的惰性气体能通过氧气进管31进入第二匀气折流板32前端，所述的第二匀气折流板32为宽度与待生长衬底直径相匹配、在长度方向上具有弯折的中空板，所述的第二匀气折流板32后端为开放端，混有氧气的惰性气体能从第二匀气折流板32后端喷出，所述的生长盘4为可旋转盘，生长盘4上表面水平设置，待生长衬底置于生长盘4上表面，所述的生长盘4内设置有驱动结构，所述的驱动结构驱动生长盘4转动，所述的喷涂管24下端和第二匀气折流板32后端均正对着生长盘4上表面，所述的第一匀气折流板23和第二匀气折流板32均为蛇形弯曲，所述的生长盘4上表面设置有分离板5，所述的分离板5与生长盘4上表面平行设置，分离板5与生长盘4之间的间距不大于0.5cm，所述的喷涂管24下端和第二匀气折流板32后端均伸入至分离板5与生长盘4之间的位置，且喷涂管24下端和第二匀气折流板32后端向生长盘4表面的水平方向的吹气均为从前向后，所述的分离板5用于降低生长盘4的上方空间的高度，使氯化镓气体与混有氧气的惰性气体在生长盘4表面相互冲击时无法回流，形成涡旋，所述的喷涂管24倾斜设置。

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