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龙图腾网获悉AMS-欧司朗有限公司申请的专利用于低压应用的低压差稳压器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115777089B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180045925.6，技术领域涉及：G05F1/565；该发明授权用于低压应用的低压差稳压器是由张成;埃米尔·塞尔达雷维奇设计研发完成，并于2021-05-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于低压应用的低压差稳压器在说明书摘要公布了：一种用于低电压应用的低压差稳压器1，包括设置在误差放大器100的输出端子O100和通路器件200的控制节点C200之间的缓冲电路500。缓冲电路500包括驱动器，该驱动器包括实施为NMOS晶体管的第一晶体管11。误差放大器100的输出端子O100耦合到第一晶体管11的控制节点C11。通路器件200的控制节点C200耦合到包括第一晶体管11的第一电流路径10的内部节点N1。即使输入电源电压非常低，低压差稳压器1也具有高负载能力。

本发明授权用于低压应用的低压差稳压器在权利要求书中公布了：1.一种用于低压应用的低压差稳压器，包括： -输入电源端子IN，用于提供输入电源电压Vin， -参考电源端子G，用于提供参考电源电压VSS， -误差放大器100，其具有第一输入端子I100a、第二输入端子I100b和输出端子O100， -通路器件200，其具有控制节点C200以控制通路器件200的导电性， -缓冲电路500，设置在误差放大器100的输出端子O100和通路器件200的控制节点C200之间， -其中所述缓冲电路500包括设置在所述输入电源端子IN和所述参考电源端子G之间的第一电流路径10，其中所述第一电流路径10包括驱动器，所述驱动器包括第一晶体管11，所述第一晶体管11具有控制节点以控制第一晶体管的导电性，所述第一晶体管11实现为NMOS晶体管， -其中所述误差放大器100的输出端子O100耦合到第一晶体管11的控制节点C11， -其中所述通路器件200的控制节点C200耦合到所述第一电流路径10的位于所述第一晶体管11和所述参考电源端子G之间的第一内部节点N1， -其中所述缓冲电路500包括设置在所述电源端子IN和所述第一电流路径10的所述第一内部节点N1之间的第二晶体管12， -其中所述第一电流路径10包括电流源15，所述电流源15设置在第一电流路径10中的所述电源端子IN和所述第一晶体管11之间， -其中所述第二晶体管12具有连接到所述第一电流路径10的第二内部节点N2的控制节点，所述第二内部节点N2设置在所述第一电流路径10的电流源15和所述第一晶体管11之间。

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