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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片、制备方法及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115849291B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211479614.3，技术领域涉及：B81B7/02；该发明授权神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片、制备方法及其应用是由李经民;尹树庆;卢若雨;王彦圣;刘冲设计研发完成，并于2022-11-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片、制备方法及其应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片、制备方法及其应用，属于传感器技术，该芯片由基底、微纳电极阵列、对电极、参比电极、引线及外接触点组成，微纳电极阵列中的微米电极点上分布有等间距排列的纳米级圆柱阵列，采用溅射、光刻、干法刻蚀、湿法刻蚀等微机电系统传统工艺和自组装微球掩膜、温控相变熔融生物创新工艺相结合制备。其中，微纳电极阵列的纳米柱阵列单元可以促进细胞与电极的耦合，减少漏电流，且在不改变电极几何直径的前提下增加了电极的表面积，减小阻抗。本发明芯片检测信号幅值高、噪声小、综合提高神经信号检测的信噪比，芯片制备方法经济、快速、方便，适用于神经科学的相关研究。

本发明授权神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片、制备方法及其应用在权利要求书中公布了：1.一种神经信号检测跨尺度微纳电极阵列芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： 1在支撑电极阵列的硅基底1上溅射厚度50nm~80nm的金属层； 2旋涂厚度1微米~1.5微米的光刻胶，光刻显影后无胶的区域为微米电极点3阵列； 3采用气液界面法在光刻胶图案表面自组装微球阵列； 4采用剥离工艺去除多余微球，只在微电极点阵列上留下微球掩膜； 5通过氧等离子刻蚀缩小微球直径，加热熔融微球，使微球与金属基底由点接触变为面接触，金属腐蚀液浸泡去掉没有微球掩蔽区域的金属，有机溶剂浸泡去除微球掩膜； 6利用干法刻蚀对具有纳米点金属掩膜的硅基底进行刻蚀，得到具有纳米柱阵列4的微电极点阵列，并将基底浸入金属腐蚀液中腐蚀掉金属膜； 7在经过干法刻蚀后的硅基底上先后溅射厚度为10nm~50nm厚的绝缘层和100nm~250nm的微电极导电薄膜层； 8通过甩胶、光刻、显影、湿法腐蚀金属、去胶的工艺，形成导电微纳电极点阵列2、电化学参比电极5、电化学对电极6、电生理对电极7、备用参考电极8、引线9以及外接引脚触点10； 9旋涂聚酰亚胺，在制备好导电薄膜层的基底表面覆盖绝缘层11，通过光刻暴露出微电极阵列、对电极、参比电极及引脚触点，保留所有引线表面覆盖的绝缘层； 10在参比电极表面涂覆AgAgCl浆料并烘干，形成AgAgCl复合薄膜参比电极。

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