新唐科技股份有限公司陈柏安获国家专利权
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龙图腾网获悉新唐科技股份有限公司申请的专利高电子迁移率晶体管装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115939201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111468311.7，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权高电子迁移率晶体管装置是由陈柏安设计研发完成，并于2021-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本高电子迁移率晶体管装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种高电子迁移率晶体管装置，包括衬底、半导体堆叠层、栅极、源极、漏极以及第一肖特基电极。半导体堆叠层设置于衬底上。栅极设置于半导体堆叠层上。源极与漏极分别电连接半导体堆叠层。源极、栅极与漏极沿着第一方向依序排列。第一肖特基电极与半导体堆叠层之间具有肖特基接触，且第一肖特基电极电连接至源极。栅极与第一肖特基电极沿第二方向排列，且第二方向垂直于第一方向。通过将高电子迁移率晶体管与肖特基二极管整合在一起，可以提升高电子迁移率晶体管装置的整体效能。
本发明授权高电子迁移率晶体管装置在权利要求书中公布了：1.一种高电子迁移率晶体管装置，其特征在于，包括： 衬底； 半导体堆叠层，设置于所述衬底上，其中所述半导体堆叠层中包括第一隔离结构； 栅极，设置于所述半导体堆叠层上； 源极与漏极，分别电连接所述半导体堆叠层，且所述源极、所述栅极与所述漏极沿着第一方向依序排列；以及 第一肖特基电极，与所述半导体堆叠层之间具有肖特基接触，且电连接至所述源极，其中所述栅极与所述第一肖特基电极沿第二方向排列，其中所述第一方向与所述第二方向平行于所述衬底的表面，且所述第二方向垂直于所述第一方向，其中所述第一肖特基电极与所述半导体堆叠层构成第一肖特基二极管，所述第一肖特基二极管电连接所述源极与所述漏极，且所述第一隔离结构横向地位于所述第一肖特基电极与所述栅极之间以及所述第一肖特基电极与所述源极之间。
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