博能电子公司E·佩科宁获国家专利权
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龙图腾网获悉博能电子公司申请的专利光电体积描记传感器装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115998273B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211289981.7,技术领域涉及:A61B5/024;该发明授权光电体积描记传感器装置是由E·佩科宁设计研发完成,并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本光电体积描记传感器装置在说明书摘要公布了:本申请公开了一种装置,其包括:光电体积描记传感器头部,该光电体积描记传感器头部包括光发射器和光电检测器,其中,该光电检测器相对于从光发射器至光电检测器的光通路布置成对角方位;以及在光电检测器上面的不透明掩模,该掩模至少局部覆盖光电检测器的、离光发射器更大距离的一半,并使得光电检测器的另一半暴露。
本发明授权光电体积描记传感器装置在权利要求书中公布了:1.一种装置,包括: 光电体积描记传感器头部,所述光电体积描记传感器头部包括布置在相同平面上的光发射器和光电检测器,其中,所述光电检测器相对于从光发射器至光电检测器的光通路布置成对角方位,其中,所述光电检测器的形状具有至少四个角部,从光发射器的视角来看,该光电检测器的形状已经旋转至对角方位; 在光电检测器上面的不透明的掩模,所述掩模至少局部覆盖光电检测器的、离光发射器距离较远的一半,从而防止来自光发射器的光到达光电检测器的覆盖部分,且使得光电检测器的另一半暴露,以便收集来自光发射器的光,其中,所述掩模覆盖光电检测器的连续区域,所述连续区域从光电检测器的、最远离光发射器的点开始,并朝向光发射器延伸;以及 另一光发射器,其中,光电检测器相对于从另一光发射器至光电检测器的光通路布置成对角方位,其中,掩模至少局部覆盖光电检测器的、离所述另一光发射器距离较远的一半,并使光电检测器的另一半暴露。
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