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龙图腾网获悉湖南广大机电有限公司申请的专利一种自适应量程模拟量采集电路及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116015299B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724256.8，技术领域涉及：H03M1/12；该发明授权一种自适应量程模拟量采集电路及其控制方法是由姜鹏;刘峰;朱小明设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自适应量程模拟量采集电路及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种自适应量程模拟量采集电路及其控制方法。自适应量程模拟量采集电路包括：第一量程选择模块、第二量程选择模块和第三量程选择模块，第一量程选择模块、第二量程选择模块连接于电路输入端和串级电阻之间，第三量程选择模块连接于串级电阻和并级电阻之间，其中，第一量程选择模块用于控制第一MOS管导通，以控制第一电阻接入，形成分压电路；第二量程选择模块用于控制第二MOS管导通，以控制第二电阻接入形成低阻抗回路并产生压差，压差信号经过串级电阻和并级电阻进行分压；第三量程选择模块用于控制第三MOS管导通，以控制第三电阻接入，形成分压电路。本案能够提高信号分辨率。

本发明授权一种自适应量程模拟量采集电路及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种自适应量程模拟量采集电路，其特征在于，包括：第一量程选择模块、第二量程选择模块和第三量程选择模块，第一量程选择模块、第二量程选择模块连接于电路输入端和串级电阻之间，第三量程选择模块连接于串级电阻和并级电阻之间，其中， 第一量程选择模块包括第一低电平信号输入端、第一MOS管和第一三极管；其中，第一MOS管为NMOS管，第一三极管为PNP型三极管，第一MOS管的漏极连接第一三极管的基极，第一MOS管的源极接地，第一MOS管的栅极连接第一低电平信号输入端，第一三极管的发射极连接5V电源，第一三极管的集电极接入电路输入端和串级电阻之间；所述第一量程选择模块用于控制第一MOS管导通，以控制第一电阻接入，输入信号电阻与第一电阻并联后，与串级电阻和并级电阻串联，形成分压电路； 第二量程选择模块包括第二低电平信号输入端和第二MOS管；其中，第二MOS管为NMOS管，第二低电平信号输入端连接第二MOS管的栅极，第二MOS管的源极接地，第二MOS管的漏极接入电路输入端和串级电阻之间；所述第二量程选择模块用于控制第二MOS管导通，以控制第二电阻接入形成低阻抗回路并产生压差，压差信号经过串级电阻和并级电阻进行分压； 第三量程选择模块包括第三低电平信号输入端和第三MOS管；其中，第三MOS管为NMOS管，第三低电平信号输入端连接第三MOS管的栅极，第三MOS管的源极接地，第三MOS管的漏极接入串级电阻和并级电阻之间；所述第三量程选择模块用于控制第三MOS管导通，以控制第三电阻接入，第三电阻和并级电阻并联后与串级电阻串联，形成分压电路； 其中，第一量程选择模块还用于控制第一MOS管截止、第二量程选择模块还用于控制第二MOS管截止、第三量程选择模块还用于控制第三MOS管截止，串级电阻和并级电阻形成分压电路。

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