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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211563296.9，技术领域涉及：H10K10/46；该发明授权一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法是由郑朝月;宋万科;陈希明;刘欢;杨亚杰;李世彬设计研发完成，并于2022-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。

本发明授权一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种写入与读取异构的双栅神经形态器件，所述神经形态器件包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极设计位于有机半导体层上方； 所述的写入与读取异构的双栅神经形态器件的制备方法，包括以下步骤： 1配制PS溶液、OTS溶液和PVDF溶液； 2准备若干SiSiO2衬底，超声清洗后烘干备用； 3将上述衬底进行紫外臭氧处理10min，在衬底上溶液法旋涂电解质溶液，热台上进行热退火； 4在步骤3中的片子上分别旋涂PS溶液、OTS溶液和PVDF溶液，热退火处理； 5将步骤4中制备完成的片子放入真空蒸镀系统，依次蒸镀并五苯、水平栅和源漏电极； 6对制备完成的器件进行相关电学性质测试； 步骤1所述PS溶液的溶剂为甲苯，浓度为3mgml；OTS溶液的溶质为OTS，溶剂为甲苯，配比为15μl:15ml；PVDF溶液的溶剂为NMPN-甲基吡咯烷酮，PVDF的重量占比为5％，搅拌1～2天，旋涂前需预热处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学长三角研究院(湖州)，其通讯地址为：313000 浙江省湖州市西塞山路819号科技创新综合体B1幢；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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