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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaN HEMT制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110788B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310259525.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaN HEMT制备方法是由武玫;孙浩伦;马晓华;王平;杨凌;侯斌;张濛;郝跃设计研发完成，并于2023-03-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaN HEMT制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaNHEMT制备方法，包括：在外延片上依次生长SiN介质层、金刚石薄膜以及SiN硬掩膜；采用循环刻蚀工艺在源区、漏区、栅区和台面电隔离区域内循环刻蚀掉SiN硬掩模和金刚石薄膜；采用湿法刻蚀对暴露出的SiN介质和剩余的SiN硬掩模进行刻蚀；在AlGaN势垒层上分别制备源电极和漏电极；在AlGaN势垒层上制备栅电极；其中刻蚀液包括：氢氟酸、氟化铵和水的混合溶液。本发明可有效去除微掩膜以及金刚石毛刺并保护AlGaN势垒层免受损伤。

本发明授权基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaN HEMT制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于混合刻蚀的金刚石薄膜GaNHEMT制备方法，其特征在于，包括： 步骤一、在AlGaNGaN外延片上依次生长SiN介质层、金刚石薄膜以及SiN硬掩膜；所述AlGaNGaN外延片的最上层为AlGaN势垒层； 步骤二、采用循环刻蚀工艺对图形区域内的SiN硬掩模和金刚石薄膜进行循环交替刻蚀；所述图形区域包括源区、漏区、栅区和台面电隔离区；所述步骤二包括：在所述SiN硬掩模上光刻源区、漏区、栅区和台面隔离区域；采用CF4和O2混合气体作为反应气体刻蚀所述源区、漏区、栅区和台面隔离区域内的SiN硬掩模，使得图形区域内的金刚石薄膜暴露出来；采用O2作为反应气体刻蚀图形区域内的金刚石薄膜，并在每次刻蚀完成后检查刻蚀区域表面；若刻蚀区域表面存在金刚石毛刺，则循环刻蚀图形区域内残留的SiN硬掩模和金刚石薄膜；若刻蚀区域的表面无金刚石毛刺，则结束循环刻蚀，并刻蚀掉图形区域内剩余的金刚石薄膜直至图形区域的SiN介质层完全暴露； 步骤三、采用湿法刻蚀工艺对图形区域暴露出的SiN介质进行刻蚀，去除图形区域中的SiN介质，并刻蚀掉剩余的SiN硬掩膜； 步骤四、在台面电隔离区制作器件台面隔离，并在源区和漏区暴露出的AlGaN势垒层上分别制备源电极和漏电极； 步骤五、在栅区暴露出的AlGaN势垒层上制备栅电极； 其中，步骤三中通过控制刻蚀液的混合浓度和浸泡时间以完全去除剩余SiN硬掩模和图形区域中的SiN介质；所述刻蚀液包括：氢氟酸、氟化铵和水的混合溶液；所述控制刻蚀液的混合浓度和浸泡时间，包括：控制氢氟酸水溶液与氟化铵水溶液的体积比，并根据溶液中氢离子和氟离子比例控制浸泡时间。

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