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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116190230B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310219302.7，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法是由武玫;孙浩伦;马晓华;王平;杨凌;侯斌;张濛;郝跃设计研发完成，并于2023-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaNHEMT集成制备方法，包括：在AlGaNGaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层；采用循环刻蚀技术在源极区域、漏极区域和台面隔离区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形；在源电极图形内制备源电极，在漏电极图形内制备漏电极；刻蚀台面隔离图形内的AlGaN势垒层和部分GaN缓冲层，形成台面隔离；采用循环刻蚀技术在栅极区域内循环刻蚀掉硬掩模层和金刚石散热层，并刻蚀掉介质层，形成栅电极图形；在栅电极图形内制备栅电极。该方法消除了微掩膜以及金刚石毛刺，得到了平滑的表面。

本发明授权基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaN HEMT集成制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于循环刻蚀技术的多晶金刚石薄膜与GaNHEMT集成制备方法，其特征在于，包括步骤： 在AlGaNGaN外延片上依次生长介质层、金刚石散热层和硬掩模层，所述硬掩模层的材料包括SiN； 在所述硬掩模层上光刻源极区域、漏极区域和台面隔离区域； 刻蚀所述源极区域、漏极区域和台面隔离区域内的硬掩模层，使得所述金刚石散热层暴露出来；所述硬掩模层的刻蚀条件包括：使用F基ICP刻蚀工艺对SiN进行刻蚀，采用CF4O2作为反应气体，上功率为80-100W，下功率为5-15W，偏压为40-50V，He气体流量为3-5sccm，压强为5-10mTorr，CF4气体流量为30-40sccm，O2气体流量为5-15sccm； 刻蚀所述金刚石散热层，并在每次刻蚀完检查刻蚀区域的表面；若刻蚀区域的表面存在金刚石毛刺，则循环刻蚀残留的硬掩模材料和所述金刚石散热层；若刻蚀区域的表面无金刚石毛刺，则结束循环刻蚀； 刻蚀掉剩余的金刚石散热层，并刻蚀掉源极区域、漏极区域和台面隔离区域的所述介质层至势垒层，在势垒层表面形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形，若无剩余的金刚石散热层，则刻蚀掉源极区域、漏极区域和台面隔离区域的所述介质层至势垒层，在势垒层表面形成源电极图形、漏电极图形和台面隔离图形； 在所述源电极图形内制备源电极，在所述漏电极图形内制备漏电极； 刻蚀所述台面隔离图形内的AlGaN势垒层和部分GaN缓冲层，形成台面隔离； 采用循环刻蚀技术在栅极区域内循环刻蚀掉所述硬掩模层和所述金刚石散热层，并刻蚀掉所述介质层，形成栅电极图形； 在所述栅电极图形内制备栅电极。

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