中国科学院物理研究所项俊森获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利基于单磁体的多层磁制冷装置及其工作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121067489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511603830.8，技术领域涉及：F25B21/00；该发明授权基于单磁体的多层磁制冷装置及其工作方法是由项俊森;李伟;苏刚;刘鑫阳;孙培杰设计研发完成，并于2025-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于单磁体的多层磁制冷装置及其工作方法在说明书摘要公布了：本发明提供基于单磁体的多层磁制冷装置及其工作方法。该装置包括：环形磁体，其内部构成工作空间；多层磁制冷套件，其整体设置于工作空间内，并与环形磁体共轴设置；热开关系统，其被配置为通过温度控制吸附或释放交换气体，以切换多层磁制冷装置内部的热交换状态与绝热状态；其中，多层磁制冷套件包括至少两个由高导热材料制成并由外至内嵌套的制冷单元；每个制冷单元均设有用于容置磁制冷工质的一个或多个容置腔；其中，不同制冷单元内所容置的磁制冷工质具有不同的工作温区，且其按照从外至内工作温区逐级递减的顺序排列。本发明装置的零部件数量减少、结构更为紧凑且制冷性能优异。
本发明授权基于单磁体的多层磁制冷装置及其工作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于单磁体的多层磁制冷装置，其包括： 环形磁体，其内部构成工作空间； 多层磁制冷套件，其整体设置于所述环形磁体的工作空间内，并与所述环形磁体共轴设置； 热开关系统，其被配置为通过温度控制吸附或释放交换气体，以切换所述多层磁制冷装置内部的热交换状态与绝热状态； 其中， 所述多层磁制冷套件包括至少两个由高导热材料制成并由外至内嵌套的制冷单元； 每个所述制冷单元均设有用于容置磁制冷工质的一个或多个容置腔； 其中，不同所述制冷单元内所容置的磁制冷工质具有不同的工作温区，且其按照从外至内工作温区逐级递减的顺序排列；并且，所有所述磁制冷工质被配置为在所述环形磁体产生的随时间发生变化的磁场下同步进行磁热效应操作。
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