睿晶半导体(宁波)有限公司樊小明获国家专利权
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龙图腾网获悉睿晶半导体(宁波)有限公司申请的专利掩模版的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121069700B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511613744.5，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权掩模版的制作方法是由樊小明设计研发完成，并于2025-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本掩模版的制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种掩模版的制作方法，其属于集成电路制造领域。所述掩模版的制作方法在将版图转移到掩模基板上之前，检测原始版图，并对原始版图的斜边上存在的连续的多个最小尺寸小于设定值的小阶梯图形进行平滑化处理，使得修正后的版图中所有的图形的尺寸均大于曝光机台最小曝光尺寸，则根据所述修正后的版图所形成的曝光图形不存在尺寸小于曝光机台最小曝光尺寸的图形，进而改善了在曝光机台上会由于曝光能量限制而无法正常成像的缺陷，提高了采用该掩模版所形成的图形与原始版图的一致性。
本发明授权掩模版的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种掩模版的制作方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供一原始版图； 检测所述原始版图，若所述原始版图的斜边存在连续的多个小阶梯图形，则对该连续的多个小阶梯图形进行平滑化处理，获得修正后的版图，连续的多个所述小阶梯图形的最小尺寸均小于设定值，所述设定值小于或者等于曝光机台最小曝光尺寸的1.5倍，且大于曝光机台最小曝光尺寸的1倍； 将所述修正后的版图转换为曝光图形，并将所述曝光图形转移到掩模基板上，形成掩模版。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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