合肥晶合集成电路股份有限公司方昕获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121072189B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511589486.1，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型是由方昕;姚子凤;张立涛;张倩;张雅琳设计研发完成，并于2025-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型在说明书摘要公布了：本申请提供一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型，涉及半导体技术领域。针对多晶硅电阻在仿真过程中无法识别器件击穿情况，而使多晶硅电阻与外部电路无法匹配的情况，本申请改进了多晶硅电阻的仿真模型。具体地，本申请将多晶硅电阻的仿真模型基于其击穿电压配置为多段模型，并将对多晶硅电阻施加电压高于击穿电压时的分段模型配置为高阻态，以使前述仿真模型能通过高阻态在电压下形成的高阻态电流标识多晶硅电阻的击穿状态，以使仿真出的多晶硅电阻在实际应用时不会被击穿，以避免工作人员的重复作业。
本发明授权一种多晶硅电阻的仿真方法及仿真模型在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅电阻的仿真方法，其特征在于，所述仿真方法包括： 确定目标多晶硅电阻的多组测试数据，其中，所述测试数据包括所述目标多晶硅电阻的电压电流数据或电压电阻数据； 从所述多组测试数据中确定所述目标多晶硅电阻的击穿电压以及有效工作数据，其中，所述目标多晶硅电阻的电压大于击穿电压时被击穿； 基于所述有效工作数据确定所述目标多晶硅电阻的第一仿真模型并基于所述击穿电压确定所述目标多晶硅电阻的第二仿真模型，其中，所述第一仿真模型与所述有效工作数据中的电阻电压关系一致，所述第二仿真模型被配置为高阻态模型； 基于所述第一仿真模型以及所述第二仿真模型确定所述目标多晶硅电阻的目标仿真模型，其中，当所述目标多晶硅电阻的电压小于所述击穿电压时，所述目标仿真模型被配置为所述第一仿真模型，当所述目标多晶硅电阻的电压大于所述击穿电压时，所述目标仿真模型被配置为所述第二仿真模型，所述高阻态模型用于形成高阻态电流以反应所述目标多晶硅电阻被击穿。
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