买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江西朴拙医疗设备有限公司申请的专利一种多模态经颅磁刺激控制系统及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121081847B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511640493.X，技术领域涉及：A61N2/04；该发明授权一种多模态经颅磁刺激控制系统及其控制方法是由谭新华;李英伟;江小浦;王康;郑辉;宋鑫华;林远健;汪耀辉;欧阳明昆;吴其荣设计研发完成，并于2025-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多模态经颅磁刺激控制系统及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明涉及磁刺激技术领域，公开了一种多模态经颅磁刺激控制系统及其控制方法，包括主控单元、第一线圈控制模块、第二线圈控制模块；所述第一线圈控制模块包括第一线圈L1、第一控制电路、第二控制电路；所述第二线圈控制模块包括第二线圈L2、第三控制电路。本发明通过对经颅磁刺激设备中单线圈刺激和双线圈刺激电路回路的改进，使得单线圈刺激能快速发出并切换双脉冲刺激，双线圈刺激能精确协同刺激的时序。

本发明授权一种多模态经颅磁刺激控制系统及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种多模态经颅磁刺激控制系统，其特征在于，包括主控单元、第一线圈L1、第二线圈L2，以及分别与主控单元连接的第一控制电路、第二控制电路、第三控制电路； 所述第一控制电路包括第一高压电源、第一驱动单元、第一元器件单元；所述第一元器件单元包括储能电容C1、单向可控硅加二极管D1、双向可控硅D2；所述第一驱动单元包括单片机U1、光耦U4、光耦U5；储能电容C1分别与第一高压电源和第二高压电源连接；单向可控硅加二极管D1的第一端与储能电容C1的第一端连接，单向可控硅加二极管D1的第二端与双向可控硅D2的第一端K1连接；双向可控硅D2的第二端K2与第一线圈L1的第二端连接；第一线圈L1的第一端与储能电容C1的第二端连接；所述单片机U1分别与光耦U4、光耦U5连接，光耦U4分别与单向可控硅加二极管D1的控制极G1A、双向可控硅D2的控制极G1连接；光耦U5与双向可控硅D2的控制极G2连接； 所述第二控制电路包括第二高压电源、第二驱动单元、第二元器件单元；所述第二元器件单元包括储能电容C2、单向可控硅加二极管D3、双向可控硅D4；所述第二驱动单元包括单片机U2、光耦U6、光耦U7；储能电容C2分别与第一高压电源和第二高压电源连接；单向可控硅加二极管D3的第一端与储能电容C2的第二端连接，单向可控硅加二极管D3的第二端与双向可控硅D4的第一端K3连接；双向可控硅D4的第二端K4与第一线圈L1的第二端连接；第一线圈L1的第一端还与储能电容C2的第一端连接；所述单片机U2分别与光耦U6、光耦U7连接，光耦U6分别与单向可控硅加二极管D3的控制极G3A、双向可控硅D4的控制极G3连接；光耦U7与双向可控硅D4的控制极G4连接； 所述第三控制电路包括第三高压电源、第三驱动单元、第三元器件单元；所述第三元器件单元包括储能电容C8、单向可控硅加二极管D5；储能电容C8与第三高压电源连接，单向可控硅加二极管D5的第一端与储能电容C8的第一端连接，单向可控硅加二极管D5的第二端与第二线圈L2的第一端连接；第二线圈L2的第二端与储能电容C8的第二端连接；单向可控硅加二极管D5的控制极G5A与第三驱动单元连接。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西朴拙医疗设备有限公司，其通讯地址为：330013 江西省南昌市南昌经济技术开发区秀先路299号智能制造产业园管理服务楼九楼和一楼西大厅A区；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。