通威微电子有限公司钟皎月获国家专利权
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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121204798B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511757492.3，技术领域涉及：C25F3/30；该发明授权电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆是由钟皎月设计研发完成，并于2025-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆，涉及半导体技术领域。电化学机械抛光组合物包括的两种酸性物质和磨粒的协同配合，采用“阴极还原反应+机械”的机理实现了碳化硅晶圆损伤小的抛光效果；酸性物质在提供氢离子的同时还可以抑制副反应的发生，磨粒在抛光处理过程中，其层状结构产生剪切滑移，协同酸性物质的处理使界面反应活性提升，显著降低抛光电压需求，实现零晶格损伤的效果。此外，磨粒可循环使用，降低成本投入；ECMP抛光组合物酸性环境体系，不含重金属，中和后即可直接排放，处理成本低；加之，抛光处理工艺简便可控，有望推动碳化硅半导体制造的进一步发展。
本发明授权电化学机械抛光组合物及其应用、碳化硅晶圆在权利要求书中公布了：1.一种电化学机械抛光组合物，其特征在于，所述电化学机械抛光组合物由如下组分组成： 0.05molL-0.45molL的第一酸性物质，0.01molL-0.25molL的第二酸性物质、0.08molL-0.12molL的H2O2和0.2kgm3-1kgm3的磨粒； 其中，所述第一酸性物质选自磷酸、硫酸、氨基磺酸和草酸中的至少一种； 所述第二酸性物质选自抗坏血酸、异抗坏血酸、柠檬酸、酒石酸、羟基胺盐酸盐和苹果酸中的至少一种； 所述磨粒为层状结构的氮化硼，所述氮化硼的粒径为10nm-20nm。
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