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龙图腾网获悉上海朋熙半导体有限公司申请的专利半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121285275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511803265.X，技术领域涉及：H10P74/00；该发明授权半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质是由李振国;蒋越;赵京雷设计研发完成，并于2025-12-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造工艺控制技术领域，提供一种半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质。该方法通过自动化流程实现：获取工艺改进前的基准组数据集和工艺改进后的测试数据集，其中基准组数据集的获取包括接收新条件分组信息和工艺必经站点信息，拉取晶圆批次时间戳并排序确定时间窗口，进行N段式采样N为不少于3的自然数动态构建基准组，并自动过滤控制批次、验证批次和试验批次以确保数据纯净；基于数据集计算均值偏移指标和变异系数指标，生成工艺改进评价结果。通过全自动数据采集和动态采样，实现了基准组构建的客观高效，消除了人工偏差，通过时间加权算法提高了偏移检测灵敏度，有效支持半导体工艺的精准监控和改进决策。

本发明授权半导体工艺改进效果分析方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺改进效果分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 获取工艺改进前的基准组数据集和工艺改进后的测试数据集； 基于所述基准组数据集和测试数据集，通过计算均值偏移指标和变异系数指标生成对改进工艺的评价结果； 其中，所述基准组数据集的获取方式包括： 接收晶圆批次的新条件分组信息和工艺必经站点信息，其中所述新条件分组表示一组具有新工艺条件的晶圆批次； 根据所述新条件分组信息，拉取所述晶圆批次经过所述工艺必经站点的时间戳，并按时间升序排序，确定时间窗口的起始时间T_start和结束时间T_end； 在所述时间窗口内进行N段式采样，N为不少于3的自然数，将所述时间窗口均分成N-1段，在各段时间窗口的端点采集预定数量各批次晶圆经过所述必经站点的测试数据，实时构建得到基准组数据集； 当N值为3时，计算所述均值偏移指标的公式为： 其中， NC_AVG表示测试数据集的平均值； Pre_AVG表示基准组数据集中前时间点采集数据的平均值； Mid_AVG表示基准组数据集中中时间点采集数据的平均值； Post_AVG表示基准组数据集中后时间点采集数据的平均值； wp、wm、wq分别表示前、中、后时间点的权重系数，且满足wp+wm+wq=1； Global_STD表示基准组数据集的全局标准差； 所述全局标准差Global_STD的计算基于所有基准组数据点，公式为： 其中，xi表示基准组数据集中的第i个数据点，μ表示基准组数据集的平均值，M表示基准组数据点的总数； 当N值为3时，计算所述变异系数指标的公式为： 其中， NC_STD表示测试数据集的标准差； Pre_STD表示基准组数据集中前时间点采集数据的标准差； Mid_STD表示基准组数据集中中时间点采集数据的标准差； Post_STD表示基准组数据集中后时间点采集数据的标准差； 所述生成对改进工艺的评价结果包括：输出所述均值偏移指标和变异系数指标，并将所述变异系数指标与预设阈值进行比较，根据比较结果判定工艺改进效果是否达标。

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