无锡尚积半导体科技股份有限公司张陈斌获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉无锡尚积半导体科技股份有限公司申请的专利一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121344531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511915133.6，技术领域涉及：C23C14/06；该发明授权一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法是由张陈斌;葛青涛;俞铭洋;宋永辉;王世宽设计研发完成，并于2025-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于功能材料制备技术领域，具体涉及一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法。本发明的功能层从下至上依次包括第一介质层、第二介质层、热敏电阻层、第一保护层和第二保护层；第一、第二介质层、第一和第二保护层均为氮化硅，热敏电阻层为氧化钒；第一介质层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å；第二介质层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；热敏电阻层采用物理气相沉积法形成，厚度为600~1000Å；第一保护层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å；第二保护层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为0~1000Å。本发明的非制冷红外探测器功能层具有较高的TCR性能。
本发明授权一种非制冷红外探测器功能层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外探测器功能层，其特征在于，从下至上依次包括第一介质层、第二介质层、热敏电阻层、第一保护层和第二保护层； 所述第一介质层、第二介质层、第一保护层和第二保护层均为氮化硅，所述热敏电阻层为氧化钒； 所述第一介质层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为50~1000Å； 所述第二介质层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å； 所述热敏电阻层采用物理气相沉积法形成，厚度为600~1000Å； 所述第一保护层采用物理气相沉积法形成，厚度为400~1400Å； 所述第二保护层采用等离子增强化学气相沉积法形成，厚度为50~1000Å。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人无锡尚积半导体科技股份有限公司，其通讯地址为：214000 江苏省无锡市新吴区长江南路35-312号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励