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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121395056B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511935666.0，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用是由赵丽霞;潘成兵设计研发完成，并于2025-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电子制造、新材料技术领域，公开了一种铁电薄膜GaN基红光激光器及其制备方法和应用，所述红光激光器包括由下至上依次相连接设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、下ITO层、铁电薄膜层和上ITO层，铁电薄膜层能够提供铁电极化，ITO层能够极化铁电薄膜。本发明采用铁电薄膜与GaN基激光器芯片集成，实现高质量红光发光，避开了材料生长难点。本发明采用的铁电薄膜与GaN基激光器集成，利用铁电薄膜的极化效应，直接将外延技术较为成熟的非红光激光器λ为570~600nm转变为红光激光器＞620nm，以解决现有的方法难以获得高质量红光发射的GaN基激光器的问题。

本发明授权一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种铁电薄膜GaN基红光激光器，其特征在于：所述红光激光器包括由下至上依次相连接设置的衬底1、缓冲层2、下限制层3、下波导层4、有源层5、上波导层6、上限制层7、下ITO层8、铁电薄膜层9和上ITO层10，铁电薄膜层9能够提供铁电极化，上ITO层10和下ITO层8作为电极能够极化铁电薄膜； 所述衬底1的材料为GaN、Si、SiC、金刚石、蓝宝石、AlN、蓝宝石SiO2复合衬底1中的一种，衬底1的结构包括平面衬底1和图案化衬底1； 所述缓冲层2包括GaN、AlN、InGaN中的任意一种或任意几种组合； 所述下限制层3包括AlGaN、AlInGaN、AlInN、GaN和AlN中的任意一种或任意几种组合； 所述下波导层4包括AlGaN、AlInGaN、AlInN、InN、GaN和InGaN中的任意一种或任意几种组合； 所述上波导层6包括AlGaN、AlInGaN、AlInN、InN、GaN和InGaN中的任意一种或任意几种组合； 所述上限制层7包括AlGaN、AlInGaN、AlInN、GaN和InGaN中的任意一种或任意几种组合； 所述铁电薄膜层9包括PbZrTiO3、BiFeO3、BaTiO3、ScAlN、HfO2、K,NaNbO3在内的具备强极化特性的铁电材料； 所述铁电薄膜层9的沉积方法为化学溶液沉积、脉冲激光沉积、磁控溅射薄膜制备方法；所述铁电薄膜层9的结构为多晶或外延结构； 所述铁电薄膜GaN基红光激光器的制备方法，包括如下步骤： 1在衬底1上依次生长缓冲层2、下限制层3、下波导层4、有源层5、上波导层6、上限制层7、下ITO层8、铁电薄膜层9、上ITO层10； 2在上ITO层10上设置金属掩膜板； 3以步骤2得到的掩膜板为模板用湿法或干法刻蚀及电感耦合等离子体刻蚀技术刻蚀上ITO层10、铁电薄膜层9、下ITO层8、上限制层7、上波导层6、有源层5、下波导层4，直到下限制层3； 4制备与上ITO层10接触的p型电极12，与下限制层3欧姆接触的n型电极11，得到所述的铁电薄膜GaN基红光激光器。

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