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龙图腾网获悉上海恩阶电子科技有限公司申请的专利一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121412030B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511986539.3，技术领域涉及：G06F11/10；该发明授权一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法是由魏琪;周健;黄斌设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法，具体涉及数据存储与校验技术领域，包括数据存储阶段与数据校验阶段，所述数据存储阶段包括以下步骤：数据划分，将待存储数据划分为包含N个等长数据子块的数据块。本发明引入动态互质多项式适配机制，根据数据类型与存储介质特征动态选择阶数不同且系数互质的双重CRC多项式，实现校验策略与应用场景的精准匹配，构建块级定位与子块级精准纠错的两级校验逻辑，利用块级校验余数快速锁定错误子块，再通过子块校验余数与预设映射表关联实现比特级错误定位，采用智能分级纠错策略，并结合数据子块与校验码交替连续存储的优化布局，协同提升系统效率。

本发明授权一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法在权利要求书中公布了：1.一种双重CRC校验码的数据存储与精准校验方法，其特征在于：包括数据存储阶段与数据校验阶段： 所述数据存储阶段包括以下步骤： S1：数据划分，将待存储数据划分为包含N个等长数据子块的数据块，其中N≥2，每个数据子块包含M个字节，M≥8； S2：动态多项式选择，提取所述待存储数据的特征参数，所述特征参数包括数据类型和存储介质类型，并根据预设的映射规则，动态选择第一CRC多项式与第二CRC多项式，其中所述第一CRC多项式用于子块级校验，所述第二CRC多项式用于块级校验，且所述第一CRC多项式与第二CRC多项式的阶数不同、生成多项式系数互质； S3：双重CRC计算与拼接，使用所述第一CRC多项式分别对每个数据子块进行计算，生成对应的子块CRC校验码；将所有数据子块进行拼接形成块级数据，并使用所述第二CRC多项式对所述块级数据进行计算，生成块级CRC校验码； S4：交织存储，将所述数据块内的各数据子块与其对应的子块CRC校验码按数据子块与子块CRC校验码的顺序交替排列存储，并将所述块级CRC校验码存储于数据块尾部的独立校验扇区； 所述数据校验阶段包括以下步骤： S5：块级校验，从存储介质中读取所述数据块的完整存储内容，提取并拼接所有数据子块的原始数据，使用所述第二CRC多项式对拼接后的数据块进行校验计算，得到块级校验余数R2； S6：错误判断与子块定位，若所述块级校验余数R2为零，则判定所述数据块无错误，校验流程结束；若R2不为零，则根据R2的最高8位字节值确定发生错误的数据子块索引； S7：子块级校验，针对所定位的错误数据子块的原始数据，使用所述第一CRC多项式进行校验计算，得到子块级校验余数R1； S8：错误定位与纠错，根据所述子块级校验余数R1查询预设的余数与错误位映射表以定位错误位位置，并执行相应的纠错操作。

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