西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司张岐宁获国家专利权
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龙图腾网获悉西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司申请的专利一种芯片抗爆封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223993891U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-13发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520194281.2，技术领域涉及：H10W42/80；该实用新型一种芯片抗爆封装结构是由张岐宁;纪卫峰;李梦;张刚琦;毛利刚;徐礼强;于苗;张劲攀;段茹设计研发完成，并于2025-02-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片抗爆封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种芯片抗爆封装结构，包括：精准击穿晶闸管芯片；所述的精准击穿晶闸管芯片的第一表面设有设置有阴极总成，精准击穿晶闸管芯片的第二表面设有设置有阳极总成，阴极总成与阳极总成之间安装有抗爆环，阳极总成、阴极总成与抗爆环形成第一腔体空间；所述的阴极总成与阳极总成之间设置有陶瓷伞裙，阳极总成外焊接有第一阳极焊接环与第一阴极连接环，阴极总成外焊接有第一阴极焊接环，阳极总成、第一阳极焊接环、陶瓷伞裙、第一阴极连接环、第一阴极焊接环、阴极总成组成第二腔体空间，本实用新型的芯片抗爆封装结构在保证通流能力的同时，在封装内部提供了足够的腔体空间，通过内部放置特殊装置抗爆环，提高了精准击穿晶闸管的抗爆能力。
本实用新型一种芯片抗爆封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片抗爆封装结构，其特征在于，包括：精准击穿晶闸管芯片；所述的精准击穿晶闸管芯片的第一表面设有设置有阴极总成，在精准击穿晶闸管芯片的第二表面设有设置有阳极总成，精准击穿晶闸管芯片位于阳极总成与阴极总成中间且与两者紧密连接，在阴极总成与阳极总成之间安装有抗爆环和陶瓷伞裙，抗爆环和陶瓷伞裙将阳极总成与阴极总成之间的空间分隔为第一腔体空间和第二腔体空间。
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