三星电子株式会社崔训诚获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利具有应力有源区的半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110634744B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910053536.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权具有应力有源区的半导体器件及其形成方法是由崔训诚设计研发完成，并于2019-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有应力有源区的半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：制造半导体器件的方法包括：提供包括具有第一晶格常数的半导体材料的衬底，然后对衬底图案化以形成沿第一方向延伸的第一半导体图案。还在第一半导体图案上形成第二半导体图案。第二半导体图案沿第一方向延伸并具有大于第一晶格常数的第二晶格常数。进一步图案化第二半导体图案以限定第二半导体图案的侧壁，该侧壁沿与第一方向交叉的第二方向延伸。在第二半导体图案上形成沿第一方向延伸的栅极。
本发明授权具有应力有源区的半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括： 提供包括具有第一晶格常数的半导体材料的衬底； 对所述衬底图案化，以形成沿第一方向延伸的第一半导体图案； 在所述第一半导体图案上形成第二半导体图案，所述第二半导体图案沿所述第一方向延伸并具有比所述第一晶格常数大的第二晶格常数； 使用沿第二方向延伸的第二掩模作为蚀刻掩模来对所述第二半导体图案图案化，以形成所述第二半导体图案的沿所述第二方向延伸的侧壁，所述第二方向与所述第一方向交叉； 在所述第二半导体图案上形成沿所述第一方向延伸的栅极；以及 在形成所述栅极之后，在所述栅极的沿所述第一方向延伸的侧壁两侧的所述第二半导体图案中形成源极漏极区，使得所述栅极在所述第二方向上位于所述源极漏极区之间。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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