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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括有源区域和栅极结构的半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112331721B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010777350.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权包括有源区域和栅极结构的半导体器件是由郑朱希;金真范;裵东一设计研发完成，并于2020-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本包括有源区域和栅极结构的半导体器件在说明书摘要公布了：一种半导体器件，包括：在垂直方向从半导体衬底延伸的有源区域；在有源区域上彼此间隔开的源极漏极区域；在有源区域上的源极漏极区域之间的鳍结构；覆盖有源区域的侧表面的隔离层；栅极结构，其与鳍结构重叠并覆盖鳍结构的上表面和侧表面；以及电连接到源极漏极区域的接触插塞，鳍结构包括：在有源区域上的下半导体区域；在下半导体区域上的具有交替的第一半导体层和第二半导体层的堆叠结构，第一半导体层的至少一个的侧表面朝向相应的中心凹入；以及在堆叠结构上的半导体盖层，半导体盖层在栅极结构与下半导体区域和堆叠结构的每个之间。

本发明授权包括有源区域和栅极结构的半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 在垂直方向上从半导体衬底延伸的第一有源区域，所述第一有源区域在平行于所述半导体衬底的上表面的第一方向上延伸； 在所述第一有源区域上在所述第一方向上彼此间隔开的第一源极漏极区域； 在所述第一有源区域上在所述第一源极漏极区域之间的鳍结构，所述鳍结构包括： 从所述第一有源区域延伸的第一下半导体区域， 在所述第一下半导体区域上的堆叠结构，所述堆叠结构包括在所述垂直方向上堆叠的交替的第一半导体层和第二半导体层，所述交替的第一半导体层和第二半导体层中的至少一个第一半导体层的侧表面在垂直于所述第一方向的第二方向上朝向相应的中心凹入，所述第一半导体层包括与所述第二半导体层的材料不同的材料，且沿所述垂直方向彼此相邻的所述第一半导体层和所述第二半导体层彼此接触，以及 在所述堆叠结构上的半导体盖层； 第一隔离层，其覆盖所述半导体衬底上的所述第一有源区域的侧表面； 第一栅极结构，其与所述鳍结构重叠并且在所述第二方向上延伸以覆盖所述鳍结构的上表面和所述鳍结构的在所述第二方向上的侧表面，所述半导体盖层在所述第一栅极结构和所述堆叠结构之间以及在所述第一栅极结构和所述第一下半导体区域之间；以及 电连接到所述第一源极漏极区域的第一接触插塞。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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