中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司纪世良获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114256351B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011019357.6，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权半导体结构及其形成方法是由纪世良;肖杏宇;张海洋设计研发完成，并于2020-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底、分立于衬底上的栅极结构、位于栅极结构两侧的源漏掺杂层以及位于栅极结构之间的层间介质层，基底包括器件区和伪器件区，伪器件区的延伸方向与栅极结构的延伸相垂直；去除伪器件区中，部分厚度的栅极结构和层间介质层，形成第一开口；去除第一开口露出的栅极结构，形成第二开口；在第二开口中形成第一阻断层。本申请实施例，在第二开口中形成第一阻断层，相应的第一阻断层不易形成在层间介质层上，相应的，刻蚀层间介质层，形成露出源漏掺杂层的源漏开口的过程中，形成源漏开口的过程中，第一阻断层不易起到暂时刻蚀停止的作用，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、分立于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂层以及覆盖所述源漏掺杂层的层间介质层，所述基底包括器件区和伪器件区，所述伪器件区的延伸方向与所述栅极结构的延伸相垂直； 去除所述伪器件区中，部分厚度的所述栅极结构和层间介质层，形成第一开口； 去除所述第一开口露出的所述栅极结构，形成第二开口； 在所述第二开口中形成第一阻断层； 在所述第一开口中形成第二阻断层； 刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的源漏开口，所述源漏开口的延伸方向与所述栅极结构的延伸方向相同；其中，刻蚀所述层间介质层，形成露出所述源漏掺杂层的源漏开口的过程中，还刻蚀所述第二阻断层，所述第二阻断层的材料与所述层间介质层的材料相同；所述源漏开口还贯穿所述第二阻断层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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