美光科技公司V·奈尔获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334835B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110629317.1，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法是由V·奈尔;S·博尔萨里;R·L·迈耶;R·A·本森;李宜芳设计研发完成，并于2021-06-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法在说明书摘要公布了：本申请案涉及集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法。一种用于形成集成电路系统的方法包括在衬底上方形成导电材料。将所述导电材料图案化成水平地纵向拉长的导电线。使所述导电材料竖直凹入于所述导电线的纵向间隔开的第一区中以形成分别处于个别纵向间隔开的第二区中的纵向间隔开的导电柱，所述纵向间隔开的第二区沿着所述导电线与所述纵向间隔开的第一区纵向交替。所述导电柱相对于所述导电线的所述纵向间隔开并且竖直凹入的第一区中的所述导电材料而竖直突出。在所述导电柱正上方形成电子组件。所述个别电子组件直接电耦合到所述个别导电柱。公开了额外方法，包含独立于方法的结构。
本发明授权集成电路、存储器电路、用于形成集成电路的方法以及用于形成存储器电路的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成集成电路系统的方法，其包括： 在衬底上方形成导电材料； 将所述导电材料图案化成水平地纵向拉长的导电线； 使所述导电材料竖直凹入于所述导电线的纵向间隔开的第一区中以形成分别处于个别纵向间隔开的第二区中的纵向间隔开的导电柱，所述纵向间隔开的第二区沿着所述导电线与所述纵向间隔开的第一区纵向交替，所述导电柱相对于所述导电线的所述纵向间隔开并且竖直凹入的第一区中的所述导电材料而竖直突出；和 在所述导电柱正上方形成电子组件，个别所述电子组件直接电耦合到个别所述导电柱， 其中所述竖直凹入在所述导电线的所述纵向间隔开的第一区上方形成空隙空间，所述空隙空间纵向处于所述导电柱中纵向紧邻的导电柱之间，且所述方法另外包括： 用第一绝缘材料为所述空隙空间的侧壁加衬，所述第一绝缘材料未填满所述空隙空间；和 用与所述第一绝缘材料具有不同组合物的第二绝缘材料填充所述空隙空间的剩余体积。
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