中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈术获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446768B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011188191.0，技术领域涉及：H10P76/20；该发明授权半导体结构的形成方法是由陈术设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，形成方法包括：提供基底，所述基底包括第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域；在所述基底上，形成图形定义层；在所述图形定义层上形成分立的掩膜层，所述掩膜层和基底围成开口，所述第一区域的所述开口作为第一开口，所述第二区域的所述开口作为第二开口；在所述第二开口中形成填充层；以所述掩膜层和填充层为掩膜刻蚀所述第一开口露出的所述图形定义层，形成目标图形。本申请实施例，在第二区域的所述掩膜层之间形成填充层，获得最终刻蚀所述图形定义层的掩膜，使得形成的目标图形满足工艺需求，有利于提高半导体结构的电学性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括第一区域和位于所述第一区域之间的第二区域； 在所述基底上，形成图形定义层； 在所述图形定义层上形成分立的掩膜层，所述掩膜层和基底围成开口，所述第一区域的所述开口作为第一开口，所述第二区域的所述开口作为第二开口；在所述图形定义层上形成分立的掩膜层的步骤包括：在所述图形定义层上形成掩膜材料层；在所述掩膜材料层上形成光刻胶材料层；提供掩膜版，所述掩膜版包括第一掩膜区和位于所述第一掩膜区之间的第二掩膜区，所述第一掩膜区中具有第一图形，所述第二掩膜区中具有第二图形；依据所述掩膜版对所述光刻胶材料层进行图形化处理，形成光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述掩膜材料层，形成所述掩膜层，所述第一开口与所述第一图形相对应，所述第二开口与所述第二图形相对应； 在所述第二开口中形成填充层； 以所述掩膜层和填充层为掩膜刻蚀所述第一开口露出的所述图形定义层，形成目标图形。
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