中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司赵炳贵获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446866B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011194850.1，技术领域涉及：H10W20/20；该发明授权半导体结构及其形成方法是由赵炳贵设计研发完成，并于2020-10-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法，通过两个步骤实现暴露源漏掺杂区的第一沟槽的形成和位于栅极结构上方的第二沟槽的形成，并且在形成所述第二沟槽时，以所述隔离层为停止层，使得所述栅极结构并未被暴露，而是被隔离层一直保护起来，直至在形成导电插塞之前，才刻蚀所述栅极结构的顶面上方的隔离层和第一保护层，暴露所述栅极结构。可以看出，本发明实施例所提供的半导体结构的形成方法，只在形成导电插塞前一步才去除栅极结构上方的隔离层和第一保护层，可以很好的保护所述栅极结构，缩短栅极结构暴露的时间，减小形成颗粒缺陷的可能，从而减小所述半导体结构失效的概率，从而可以提高所得的半导体结构的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括衬底、位于所述衬底上的栅极结构、位于所述栅极结构两侧的源漏掺杂区、位于所述栅极结构和所述源漏掺杂区上的隔离层，以及位于所述隔离层上方的第一介质层； 图形化所述基底，形成仅暴露所述源漏掺杂区的第一沟槽； 以所述隔离层为停止层，在所述栅极结构的上方形成第二沟槽； 形成第一保护层，所述第一保护层至少保形覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽； 至少去除覆盖所述源漏掺杂区的顶面和所述栅极结构的顶面的所述第一保护层，暴露所述源漏掺杂区和所述栅极结构； 形成导电插塞，填充所述第一沟槽或所述第二沟槽，与所述源漏掺杂区或与所述栅极结构电连接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励