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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种电容器孔和DRAM的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496928B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011254333.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种电容器孔和DRAM的制造方法是由姜东勋;李俊杰;周娜设计研发完成，并于2020-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种电容器孔和DRAM的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种电容器孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了如何通过SLP1SLP2缩减孔的临界尺寸的问题。该方法包括：在半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一转移图案层和第一光刻胶图案；将第一光刻胶图案转移至第一转移图案层；沉积第一侧墙材料层并刻蚀为第一侧墙图案；将第一侧墙图案转移至第一硬掩模层；去除第一侧墙图案的凸起并在第一硬掩模层图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二转移图案层和第二光刻胶图案；以类似方式形成第二硬掩模层图案；第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案；以第三掩模层图案为掩模，对待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔。通过控制侧墙材料层的厚度来缩减孔的临界尺寸。

本发明授权一种电容器孔和DRAM的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电容器孔的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底； 在所述半导体衬底上方顺序形成待刻蚀层、第一硬掩模层、第一图案转移层和第一光刻胶图案； 以所述第一光刻胶图案为掩模刻蚀所述第一图案转移层，以形成第一转移图案； 在所述第一转移图案上方沉积第一侧墙材料层并将其刻蚀为第一侧墙图案； 以所述第一侧墙图案为掩模刻蚀所述第一硬掩模层以形成第一硬掩模图案； 去除所述第一侧墙图案并在所述第一硬掩模图案上方顺序形成第二硬掩模层、第二图案转移层和第二光刻胶图案； 以所述第二光刻胶图案为掩模刻蚀所述第二图案转移层，以形成第二转移图案； 在第二转移图案上方沉积第二侧墙材料层并将其刻蚀为第二侧墙图案； 以所述第二侧墙图案为掩模刻蚀所述第二硬掩模层以形成第二硬掩模图案； 去除所述第二侧墙图案； 将所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案，其中，将所述第一硬掩模图案和第二硬掩模图案反相为第三硬掩模图案的步骤包括：在所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案上方沉积第三硬掩模层；以及去除所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案，留下的第三硬掩模层形成第三掩模图案；以及 以所述第三硬掩模图案为掩模，对所述待刻蚀层进行刻蚀以形成电容器孔，其中，所述第一硬掩模图案和所述第二硬掩模图案错开分布以增大图案密度和均匀性，通过控制所述第一侧墙材料层的沉积厚度与所述第二侧墙材料层的沉积厚度，调节所述第二侧墙图案的凸起宽度与所述第一侧墙图案的凸起宽度，减小第一存储线图案和第二存储线图案的尺寸。

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