三星电子株式会社崔祐荣获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括绝缘图案的半导体装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114597191B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110755874.8,技术领域涉及:H10W20/40;该发明授权包括绝缘图案的半导体装置是由崔祐荣;裵熊辉;裵珍宇;尹彩璘;韩成熙;许先佑;黄德性设计研发完成,并于2021-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括绝缘图案的半导体装置在说明书摘要公布了:提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括设置在基底上的第一位线。设置掩埋接触件,掩埋接触件设置在第一位线之间并且连接到基底。接合垫设置在掩埋接触件上。第二位线设置在基底的外围区域上。第二位线的上表面和接合垫的上表面彼此共面。第一绝缘图案设置在第二位线之间。第二绝缘图案设置在接合垫之间。设置连接到接合垫的单元电容器。第一绝缘图案包括与第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。
本发明授权包括绝缘图案的半导体装置在权利要求书中公布了:1.一种半导体装置,所述半导体装置包括: 基底,包括单元区域和与单元区域相邻的外围区域; 多条第一位线,设置在基底的单元区域上; 多个掩埋接触件,设置在所述多条第一位线中的第一位线之间的多个空间中,并且连接到基底; 多个接合垫,位于所述多个掩埋接触件上; 多条第二位线,设置在基底的外围区域上,并且连接到所述多条第一位线,所述多条第二位线的上表面与所述多个接合垫的上表面基本共面; 多个第一绝缘图案,设置在所述多条第二位线中的第二位线之间的多个空间中; 多个第二绝缘图案,设置在所述多个接合垫中的接合垫之间的多个空间中; 蚀刻停止层,位于所述多个接合垫、所述多条第二位线、所述多个第一绝缘图案和所述多个第二绝缘图案上;以及 多个单元电容器,连接到所述多个接合垫, 其中,所述多个第一绝缘图案包括与所述多个第二绝缘图案的至少一个绝缘层不同的绝缘层。
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