美光科技公司福住嘉晃获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利电容式感测NAND存储器中的存取操作获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114613407B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111458167.9，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权电容式感测NAND存储器中的存取操作是由福住嘉晃;藤木润;田中秋二;吉田政史;西户雅信;蒲田佳彦设计研发完成，并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本电容式感测NAND存储器中的存取操作在说明书摘要公布了：本申请涉及电容式感测NAND存储器中的存取操作。存储器可包含非易失性存储器单元、选择性地连接到所述非易失性存储器单元的电容、具有电容耦合到所述电容的电极的沟道的场效应晶体管，以及用于存取所述非易失性存储器单元且配置成使所述存储器进行以下操作的控制器：增加所述电容的所述电极的电压电平；响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地放电所述电容的所述电极的所述电压电平，以及响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。
本发明授权电容式感测NAND存储器中的存取操作在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其包括： 非易失性存储器单元； 电容，其选择性地连接到所述非易失性存储器单元； 场效应晶体管，其中所述场效应晶体管包括控制栅极和沟道，并且其中所述场效应晶体管的所述沟道电容耦合到所述电容的电极；以及 用于存取所述非易失性存储器单元的控制器，其中所述控制器在所述存储器的感测操作期间配置成使所述存储器进行以下操作： 增加所述电容的所述电极的电压电平； 响应于存储在所述非易失性存储器单元中的数据状态，通过所述非易失性存储器单元选择性地对所述电容的所述电极的所述电压电平进行放电；以及 响应于所述电容的所述电极的剩余电压电平，确定所述场效应晶体管是否被激活。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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