乐金显示有限公司李锺源获国家专利权
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龙图腾网获悉乐金显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210153249.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权显示装置是由李锺源;方政镐设计研发完成，并于2017-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：公开了一种显示装置。该显示装置包括基板，该基板包括：第一薄膜晶体管，其包括氧化物半导体层；第二薄膜晶体管，其与第一薄膜晶体管间隔开并且包括多晶半导体层；以及包括至少两个存储电极的存储电容器。所述至少两个存储电极中的一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的栅电极位于同一平面中且由相同的材料形成，并且所述至少两个存储电极中的另一个存储电极与第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管的源电极和漏电极位于同一平面中且由相同的材料形成。因此，实现了基板的较低功耗和较大面积。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 基板； 在所述基板上的像素，所述像素包括： 在所述基板上的第一薄膜晶体管TFT，所述第一TFT包括： 第一栅电极， 在所述第一栅电极上的第一层间绝缘膜的至少第一部分， 在所述第一层间绝缘膜上的第二层间绝缘膜，以及 在所述第二层间绝缘膜的第一部分上的第一栅极绝缘膜，以及 在所述基板上的第二TFT，所述第二TFT包括： 由多晶硅形成的第二有源层， 源电极和漏电极， 在所述第二有源层上的第二栅极绝缘膜的至少第一部分，以及 在所述第二栅极绝缘膜的第一部分上的第二栅电极， 其中，所述第一层间绝缘膜、所述第二层间绝缘膜以及所述第二栅极绝缘膜在所述第一栅极绝缘膜与所述第二有源层之间；在所述基板上的存储电容器，所述存储电容器包括： 第一存储电极，以及 第二存储电极， 其中，所述第二存储电极与所述第一栅极绝缘膜分离。
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