株式会社FLOSFIA杉本雅裕获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社FLOSFIA申请的专利半导体装置及具有半导体装置的半导体系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114747021B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080082526.2，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体装置及具有半导体装置的半导体系统是由杉本雅裕;樋口安史设计研发完成，并于2020-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及具有半导体装置的半导体系统在说明书摘要公布了：制作半导体装置以用作功率器件，该半导体装置至少具有高电阻氧化物膜，电阻为1.0×106Ω·cm以上的高电阻氧化物膜沿着电流的流动方向配置，或者配置于源极与漏极之间，或者配置于所述源极或和所述漏极与基板之间。
本发明授权半导体装置及具有半导体装置的半导体系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，至少具有栅极、源极、漏极及高电阻氧化物膜的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置为纵向型器件，在所述源极与所述漏极之间配置有所述高电阻氧化物膜，所述高电阻氧化物膜为具有1.0×106Ω·cm以上的电阻率的晶体生长膜，所述高电阻氧化物膜具有开口部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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