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龙图腾网获悉西安华泰半导体科技有限公司申请的专利一种DC-DC转换器低压大负载启动线性限流电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114825890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210454036.1，技术领域涉及：H02M1/32；该发明授权一种DC-DC转换器低压大负载启动线性限流电路是由何磊;周罡;王双彦;李光强;聂瑞雨设计研发完成，并于2022-04-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DC-DC转换器低压大负载启动线性限流电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种DC‑DC转换器低压大负载启动线性限流电路，包括：第一电流镜电路和电阻R3的一端共同接地；电阻R3的另一端连接第二电流镜电路和第二电流源，第二电流镜电路、差分对电路、第二电流源、MOS管M5的源极和第一电流源的一端共同外接输入电压VDD；第一电流源的另一端连接第一电流镜电路；MOS管M5的栅极和漏极连接差分对电路；第一电流镜电路连接差分对电路，差分对电路连接第二差分对电路；差分对电路外接欠压阈值VUVLO。本发明将输入电压与欠压阈值作比较，生成随输入电压线性变化的电流值改变限流电压，线性调节限流值，避免低压输入大电流启动瞬间输入电压被拉低，触发欠压锁定使启动失败或多次重复启动的问题，且能最大限度的提高启动速度。

本发明授权一种DC-DC转换器低压大负载启动线性限流电路在权利要求书中公布了：1.一种DC-DC转换器低压大负载启动线性限流电路，其特征在于，包括：第一电流镜电路、差分对电路、第二电流镜电路、电阻R3、第一电流源1、第二电流源2和MOS管M5； 所述第一电流镜电路和电阻R3的一端共同接地；所述电阻R3的另一端连接第二电流镜电路和第二电流源2，所述第二电流镜电路、差分对电路、第二电流源2、MOS管M5的源极和第一电流源1的一端共同外接输入电压VDD；所述第一电流源1的另一端连接第一电流镜电路；所述MOS管M5的栅极和漏极连接差分对电路；所述第一电流镜电路连接差分对电路，所述差分对电路连接有第二差分对电路；所述差分对电路外接欠压阈值； 所述第一电流镜电路包括MOS管M1和MOS管M2；所述第一电流源1连接MOS管M1的栅极和漏极，所述MOS管M1的栅极连接MOS管M2的栅极，所述MOS管M2的源极、MOS管M1的源极和电阻R3的一端共同接地；所述MOS管M2的漏极连接差分对电路； 所述差分对电路包括MOS管M3和MOS管M4；所述MOS管M3的栅极外接欠压阈值VUVLO，所述MOS管M3的源极和MOS管M4的源极连接MOS管M2的漏极；所述MOS管M3的漏极连接MOS管M5的栅极和漏极；所述MOS管M4的栅极连接输入电压VDD；所述MOS管M4的漏极连接第二电流镜电路； 所述第二电流镜电路包括MOS管M6和MOS管M7；所述MOS管M6的栅极和MOS管M7的栅极连接，所述MOS管M6的栅极和漏极连接MOS管M4的漏极；所述MOS管M6的源极和MOS管M7的源极连接输入电压VDD；所述MOS管M7的漏极连接电阻R3的另一端； 流经电阻R3的电流为第二电流源2提供的电流和流经MOS管M7的电流之和； 第一电流源1为MOS管M1提供恒定电流。

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