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龙图腾网获悉西安华泰半导体科技有限公司申请的专利一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114844327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210441617.1，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法是由王双彦;周罡;何磊;李光强;聂瑞雨设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法，该结构通过在功率管后设置比较器和电荷泵，在检测到DCDC中功率管的源漏两端电压大于给出的阈值电压时，该电路结构能够提供一个输送到功率管栅极的负电压，以此降低功率管的导通阻抗，从而解决DCDC芯片启动时由于功率管阻抗过大而导致的启动速度慢、低输入电压时由于功率管阻抗过大而导致的带载能力低等问题。

本发明授权一种提升DCDC芯片性能的电路结构和方法在权利要求书中公布了：1.一种提升DCDC芯片性能的电路结构，其特征在于，包括功率管、比较器2和电荷泵3； 所述功率管的源端及漏端共同和比较器2连接，所述比较器2的输出端和电荷泵3的输入端连接，电荷泵3的输出端和功率管的栅极连接； 所述功率管的栅极连接有电平转换电路4的输出端，所述电平转换电路4的输入端连接有驱动电路1； 当功率管为PMOS管时，所述电荷泵3为负压电荷泵；当功率管为NMOS管时，所述电荷泵3为正压电荷泵； 通过上述电路结构提升DCDC芯片性能的方法为： 比较器2比较功率管的源端电压和功率管的漏端电压； 若漏端电压减去阈值电压得到的结果大于源端电压，所述比较器2向电荷泵3输出控制信号，电荷泵3根据控制信号输出电压值，功率管根据电压值导通； 若漏端电压减去阈值电压得到的结果小于源端电压，所述比较器2向电荷泵3输出控制信号使电荷泵3停止产生电压，电荷泵3输出0电压至功率管； 功率管的栅极连接有电平转换电路4的输出端，所述电平转换电路4的输入端连接有驱动电路1；电平转换电路4的输入端和电荷泵3的输出端连接； 驱动电路1输出的功率管控制信号PD为GND时，电平转换电路4向功率管的栅极输出低电平；比较器2比较功率管的源端电压和漏端电压；当功率管漏端电压和源端电压的差值大于阈值电压，比较器2输出高电平至电荷泵3，电荷泵3产生电压并输入至电平转换电路4，电平转换电路4将低电压输入至功率管的栅极；当功率管漏端电压和源端电压的差值小于阈值电压，比较器2输出低电平至电荷泵3，电荷泵3输出低电平至电平转换电路4，电平转换电路4输出低电平至功率管的栅极； 所述负压电荷泵3的输出端连接至所述电平转换电路4的低电平电源端； 其中，当所述功率管的漏端电压和源端电压的差值大于一阈值电压时，所述比较器2输出信号以使所述负压电荷泵3工作，从而向所述电平转换电路4的低电平电源端提供一负电压； 所述电平转换电路4的输入端和电荷泵3的输出端连接。

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