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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114902415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080090747.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法是由马克·加德纳;H·吉姆·富尔福德设计研发完成，并于2020-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法在说明书摘要公布了：披露一种制作半导体器件的方法，该方法包括：在衬底上形成第一晶体管结构的第一堆叠体；以及在该衬底上与该第一堆叠体相邻地形成第二晶体管结构的第二堆叠体。与该第一堆叠体相邻地形成该第二堆叠体，使得在该第一堆叠体的一端处的经堆叠SD区面对在该第二堆叠体的一端处的相应堆叠SD区。通过形成连接结构来连接该第一堆叠体和该第二堆叠体的第一对面对的SD区，该连接结构在水平方向上延伸以将该第一对面对的SD区彼此物理连接。将该第一堆叠体和该第二堆叠体的第二对面对的SD区维持为彼此物理分离的一对分离的面对的SD区。将第一金属互连结构和第二金属互连结构连接到该第二对面对的SD区中的相应SD区。

本发明授权使用3D晶体管堆叠体之间的连接来制作六晶体管SRAM单元的方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体器件的方法，该方法包括： 在衬底上形成第一晶体管结构的第一堆叠体，每个第一晶体管结构包括沿着该衬底的表面在水平方向上延伸的沟道和形成于该沟道的相反端上的一对SD区，其中，沿着该衬底的厚度方向在垂直方向上堆叠这些第一晶体管结构，使得该第一堆叠体的沟道区定位在彼此上方并且该第一堆叠体的SD区定位在彼此上方； 在该衬底上与该第一堆叠体相邻地形成第二晶体管结构的第二堆叠体，每个第二晶体管结构包括在该水平方向上延伸的沟道和形成于该沟道的相反端上的一对SD区，其中，沿着该垂直方向堆叠这些第二晶体管结构，使得该第二堆叠体的沟道区定位在彼此上方并且该第二堆叠体的SD区定位在彼此上方，该第二堆叠体与该第一堆叠体相邻地形成，使得在该第一堆叠体的一端处的堆叠SD区面对在该第二堆叠体的一端处的相应经堆叠SD区； 通过形成连接结构来连接该第一堆叠体和该第二堆叠体的第一对面对的SD区，该连接结构在该水平方向上延伸以将该第一对面对的SD区彼此物理连接； 将该第一堆叠体和该第二堆叠体的第二对面对的SD区维持为彼此物理分离的一对分离的面对的SD区；以及 形成连接到该第二对面对的SD区的相应SD区的第一金属互连结构和第二金属互连结构。

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