南京邮电大学杨睿卿获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114914357B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210449314.4，技术领域涉及：H10N50/85；该发明授权基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件是由杨睿卿;王伟;李善航设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件在说明书摘要公布了：本申请公开了基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件，该存储器从上到下包括顶电极、SOT‑MTJ和衬底。SOT‑MTJ从上至下包括参考层、隧穿层、重金属层和自由层；衬底则为Bi2Se3和NiI2异质结的结构，Bi2Se3有利于电流转化为自旋轨道力矩，实现电流诱导的无场磁化翻转；NiI2具有垂直磁各向异性，可以降低临界翻转电流；采用了以TaW复合重金属为耦合层的具有垂直磁各向异性的人工反铁磁结构CoFeBMgOTaWCoFeB，两个具有反铁磁耦合的CoFeB层在SOT作用下在平行和反平行态切换；Ta和W都具有较大的自旋霍尔角，非常有利于产生自旋轨道力矩来翻转磁矩。
本发明授权基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件在权利要求书中公布了：1.基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件，其特征在于：所述基于硒化铋和碘化镍异质结衬底的磁隧道结存储器件包括从上至下依次设置的顶电极、SOT-MTJ和衬底，所述SOT-MTJ包括从上至下依次设置的参考层、隧穿层、复合重金属层和自由层，所述顶电极采用铝或铜材料，参考层和自由层均采用CoFeB材料，隧穿层采用MgO材料，复合重金属层采用钽薄层上生长钨薄层形成TaW复合材料，衬底为Bi2Se3和NiI2异质结的结构。
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