株式会社国际电气八幡橘获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社国际电气申请的专利半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944324B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110293116.9，技术领域涉及：H10P14/00；该发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法是由八幡橘;大桥直史;山本隆治设计研发完成，并于2021-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法。提高每个衬底的处理均匀性和吞吐量。包括：a向处理容器内搬入衬底的工序；b经由气体供给部向所述衬底供给通过在设于第1气体供给管线的第1加热部经过而被加热的第1气体，对所述衬底进行加热的工序；c经由所述气体供给部向在所述处理容器内的衬底载置部上载置的所述衬底供给第2气体的工序，所述第2气体是流经不同于所述第1气体供给管线的第2气体供给管线的气体；d在b与c之间，对所述气体供给部供给温度比所述第1气体低的第3气体，使所述气体供给部的温度降低的工序。
本发明授权半导体器件的制造方法、衬底处理装置、记录介质及衬底处理方法在权利要求书中公布了：1.衬底处理方法，包括： a向处理容器的处理室内搬入衬底的工序； b经由气体供给部向所述衬底供给通过在设于第1气体供给管线的第1加热部经过而被加热的第1气体，对所述衬底进行加热的工序； c经由设于所述气体供给部上方的缓冲室内向在所述处理室内的衬底载置部上载置的所述衬底供给第2气体的工序，所述第2气体是流经不同于所述第1气体供给管线的第2气体供给管线的气体； d在b与c之间，对设于所述气体供给部且与所述处理室内连通的缓冲空间供给温度比所述第1气体低的第3气体，使所述缓冲空间的温度降低的工序。
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