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龙图腾网获悉南京邮电大学申请的专利一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944453B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210419379.4，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法是由唐佳;胡芳仁;张伟设计研发完成，并于2022-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法，属于半导体薄膜及其阻变存储器技术领域。主要包括：1处理100取向的单晶Si衬底；2在衬底上通过磁控溅射法制备222取向的ITO底电极；3在ITO底电极上通过射频反应磁控溅射法生长主晶向100、最大晶粒尺寸为30nm的晶态TaOx薄膜作电阻层；4在电阻层上通过磁控溅射法沉积Ta电极。本发明制备了主晶向100、最大晶粒尺寸为30nm的晶态TaOx薄膜，薄膜晶体结构和晶粒尺寸俱佳，生长速度快，薄膜成分可控，以其为电阻层的晶态TaOx阻变存储器表现出超高的存储窗口、很低的操作电压和较强的耐久性，可以为晶态TaOx阻变存储器的商业化和工业化应用提供一定的技术指导。

本发明授权一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器的制备方法，其特征在于，步骤如下： 步骤一.处理100取向的单晶Si衬底，具体包括：将4英寸100取向的单晶Si片切割成1×1cm2的Si衬底，然后依次在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声清洗25~30min，最后用氮气将其吹干； 步骤二.通过磁控溅射法在步骤一所得衬底上制备222取向的ITO薄膜作底电极，具体工艺参数包括：80W的射频反应溅射功率、1Pa的溅射气压、500℃的沉积温度和溅射气氛中15%的氧浓度； 步骤三.在步骤二所得ITO底电极上通过射频反应磁控溅射法生长主晶向100、最大晶粒尺寸为30nm的晶态TaOx薄膜作电阻层，具体工艺参数包括：750℃的沉积和结晶温度、100W的射频反应溅射功率、1.6Pa的溅射气压，溅射气氛中氧浓度取值范围为10%-30%； 步骤四.在步骤三所得晶态TaOx电阻层上通过磁控溅射法沉积Ta电极，直流反应功率为40W，溅射气压为1Pa，沉积温度为750℃，溅射气氛中氧浓度为0%，得到具有超高存储窗口的晶态TaOx阻变存储器。

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