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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种位线接触孔和DRAM的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114975285B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110206162.0，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种位线接触孔和DRAM的制造方法是由慎寿范;周娜;李俊杰;王佳;李琳设计研发完成，并于2021-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种位线接触孔和DRAM的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种位线接触孔和DRAM的制造方法，属于半导体技术领域，解决了现有C1区域在刻蚀后进行两次PR剥离及清洁工艺，导致衬底硅及周边氧化物的损失不均衡的问题。方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括有源区和将相邻有源区隔离开的浅沟槽隔离区，有源区包括相间设置的第一区域和第二区域；在半导体衬底上方顺序形成缓冲层、阻挡层、下硬掩模层、第一上硬掩模层、第一抗反射层和第一光刻掩模层；在第一区域中，形成下硬掩模层图案；在第一区域中的下硬掩模层图案上方顺序形成第二上硬掩模层、第二抗反射层和第二光刻掩模层；在第二区域中，形成下硬掩模层图案；以及在第一区域和第二区域中，形成位线接触孔。消除有源区损失不均匀。

本发明授权一种位线接触孔和DRAM的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种位线接触孔的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，其中，所述半导体衬底包括有源区和将相邻有源区隔离开的浅沟槽隔离区，所述有源区包括相间设置的第一区域和第二区域； 在所述半导体衬底上方顺序形成缓冲层、阻挡层、下硬掩模层、第一上硬掩模层、第一抗反射层和第一光刻掩模层，其中，由所述第一光刻掩模层形成第一光刻掩模层图案； 在所述第一区域中，以所述第一光刻掩模层图案为掩模，经由所述第一抗反射层和所述第一上硬掩模层将所述第一光刻掩模层图案转移至所述下硬掩模层以形成下硬掩模层图案； 在所述第一区域中的下硬掩模层图案上方顺序形成第二上硬掩模层、第二抗反射层和第二光刻掩模层； 在所述第二区域中，以所述第一光刻掩模层图案为掩模，经由所述第一抗反射层和所述第一上硬掩模层将所述第一光刻掩模层图案转移至所述下硬掩模层以形成下硬掩模层图案，同时去除所述第一区域中的第二光刻掩模层、第二抗反射层和第二上硬掩模层；以及 在所述第一区域和所述第二区域中，以所述下硬掩模层图案为掩模，对所述阻挡层进行过刻蚀，并对第一区域和第二区域进行刻蚀，以形成位线接触孔，其中，在所述第一区域和所述第二区域中，以所述下硬掩模层图案为掩模，对所述阻挡层进行过刻蚀，并对第一区域和第二区域进行刻蚀，以形成位线接触孔进一步包括：以所述第一区域中的下硬掩模层图案和所述第二区域中的下硬掩模层图案为掩模，对所述阻挡层、所述缓冲层和所述半导体衬底进行开口刻蚀；在开口中对所述第一区域和所述第二区域的有源区进行刻蚀，以在所述第一区域中形成第一位线接触孔并在所述第二区域中形成第二位线接触孔，所述第一位线接触孔位于正方形的四个角处并且所述第二位线接触孔位于所述正方形的中心处； 在形成所述位线接触孔之后，通过清洁工艺使用O2和Ar的混合气体去除副产物和聚合物，以消除所述有源区损失不均匀。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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