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深圳市华星光电半导体显示技术有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉深圳市华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利显示面板的制备方法、显示面板获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114975553B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210586504.0,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权显示面板的制备方法、显示面板是由请求不公布姓名;请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成,并于2022-05-26向国家知识产权局提交的专利申请。

显示面板的制备方法、显示面板在说明书摘要公布了:本发明提供一种显示面板的制备方法及显示面板,每一子像素包括第一电极、第二电极以及位于第一电极和所述第二电极之间且间隔设置的主发光层及辅发光层,同一子像素的主发光层和辅发光层之间具有第一间距,至少一子像素的辅发光层与同行且相邻的子像素的主发光层之间具有第二间距,第一间距与第二间距之和小于17微米,即第一间距与第二间距之和小于现有技术中的相邻两子像素之间的间距,可以提高显示面板的开口率。在显示面板的制备方法中,通过将主发光层和辅发光层分步制备,可避免主发光层和辅发光层之间出现混色不良问题,同时也可改善相邻的两子像素在制备主发光层或辅发光层时,出现的混色不良,还可以提高显示面板的开口率。

本发明授权显示面板的制备方法、显示面板在权利要求书中公布了:1.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述显示面板包括多个子像素,所述显示面板的制备方法包括以下步骤: 步骤S100:提供基板,在所述基板上制备第一电极层;其中,所述第一电极层包括多个间隔设置的第一电极; 步骤S200:在所述第一电极层上制备像素定义层,并去除部分所述像素定义层以形成多个第一凹槽;其中,每一所述第一凹槽暴露出对应的所述第一电极的一部分; 步骤S300:在所述第一凹槽内制备主发光层; 步骤S400:在所述主发光层和所述像素定义层上制备第一封装结构,并去除部分所述第一封装结构及部分所述像素定义层以形成多个第二凹槽;其中,每一所述第二凹槽暴露出对应的所述第一电极的一部分,多个第二凹槽位于多个所述第一凹槽的同一侧; 步骤S500:在所述第二凹槽内制备辅发光层后,去除至少部分所述第一封装结构以暴露所述主发光层;其中,多个所述辅发光层位于多个所述主发光层的同一侧; 步骤S600:在所述像素定义层及所述主发光层、所述辅发光层上制备第二电极;其中,每一所述子像素包括所述第一电极、所述第二电极、所述主发光层及所述辅发光层,同一所述子像素的所述主发光层和所述辅发光层之间具有第一间距,至少一所述子像素的所述辅发光层与同行且相邻的所述子像素的所述主发光层之间具有第二间距,所述第一间距与所述第二间距之和小于17微米。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,其通讯地址为:518132 广东省深圳市光明新区公明街道塘明大道9-2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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