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龙图腾网获悉光合有限责任公司申请的专利体积式微光刻技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981726B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080094196.9，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权体积式微光刻技术是由A·科斯坚科设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本体积式微光刻技术在说明书摘要公布了：描述了用于体积式微光刻的系统和方法，其中该方法可以包括接收三维目标结构的数据表示，并确定光敏介质体积或构建体积中的多个平面，该多个平面中的每个平面与构建体积中多个深度中的相应深度相关，该多个深度是沿曝光系统的光轴定义。每个平面可以对应于曝光系统的焦平面的可能位置。优选的是，多个深度中的深度是相互不同的。光敏介质可包括用于在光敏介质中引发化学反应的激活化合物，该激活化合物能够被第一波长的光激活。在一个实施方案中，光敏介质可进一步包括用于抑制光敏介质中化学反应的抑制化合物，该抑制化合物能够被不同于第一波长的第二波长的光激活。该方法还可以包括根据三维目标结构的形状和优选地是光敏介质的特性，计算曝光图像序列，其中曝光图像序列的每个曝光图像与构建体积中多个平面中的平面有关。每个曝光图像可以与第一波长的光和或第二波长的光有关。在一个实施方案中，该光可以是强度调制的光。该方法可进一步包括，对于多个平面中的每个焦平面，控制曝光系统将曝光系统的焦平面定位在构建体积中与对应平面相关的深度处，并用与对应平面相关的曝光图像照亮构建体积。

本发明授权体积式微光刻技术在权利要求书中公布了：1.一种体积式微光刻技术的方法，包括： 接收三维目标结构的数据表示； 确定构建体积中的光敏介质体积中的多个平面，所述多个平面中的每个平面与构建体积中多个深度中的相应深度相关，所述多个深度沿曝光系统的光轴定义，每个平面与曝光系统的焦平面的可能位置相对应，所述多个深度中的深度相互不同，光敏介质包括用于在光敏介质中引发化学反应的激活化合物，以及用于抑制化学反应的抑制化合物，所述激活化合物能够由第一波长的光激活，所述抑制化合物能够由不同于第一波长的第二波长的光激活； 基于三维目标结构的形状，计算曝光图像的序列，所述曝光图像的序列中的每个曝光图像与所述多个平面中的平面相关，并且每个曝光图像包括第一波长的光和或第二波长的光，其中计算曝光图像的序列包括基于用于预测由于投射到光敏介质中的曝光图像的序列引起的化学反应速率的模型计算曝光图像的序列；以及 基于所述多个平面中的至少一部分，控制曝光系统以将曝光系统的焦平面定位在构建体积中与相应平面相关的深度处，并用与相应平面相关的曝光图像照射所述构建体积。

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