株式会社日立高新技术松井都获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社日立高新技术申请的专利等离子处理装置以及等离子处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114981932B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080054480.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法是由松井都;臼井建人;桑原谦一设计研发完成，并于2020-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子处理装置以及等离子处理方法在说明书摘要公布了：本发明所涉及的等离子处理装置具备：对样品进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；和载置样品的样品台。等离子处理装置进一步具备控制装置，其使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来测量在样品的所期望的材料上选择性地形成的保护膜的厚度，或者使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来判断保护膜的选择性。
本发明授权等离子处理装置以及等离子处理方法在权利要求书中公布了：1.一种等离子处理装置，具备： 对样品进行等离子处理的处理室； 供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；和 载置所述样品的样品台， 所述等离子处理装置的特征在于，进一步具备： 控制装置，其使用通过对所述样品照射紫外线而从所述样品反射的干涉光，来测量在所述样品的所期望的材料上选择性地形成的保护膜的厚度，或者，使用通过对所述样品照射紫外线而从所述样品反射的干涉光，来判断所述保护膜的选择性， 所述保护膜通过使用四氯化硅气体即SiCl4、溴化氢气体即HBr和氯气即Cl2，使氯气的流量增加到给定值以上，来在所期望的材料上选择性地形成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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