台湾积体电路制造股份有限公司陈科铭获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利形成半导体结构的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115000018B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110907594.4，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权形成半导体结构的方法是由陈科铭;张庭荣;郑欣承;曾志苍设计研发完成，并于2021-08-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本形成半导体结构的方法在说明书摘要公布了：提供一种形成半导体结构的方法。方法包括在基板的主动区上方形成栅极结构；在栅极结构的相对侧的主动区的部分上方形成包含第一导电类型的第一掺杂剂的磊晶层；磊晶层，将包含臭氧及去离子水的清洗溶液应用至磊晶层，从而在磊晶层上形成氧化层；在氧化层及栅极结构上方形成经图案化光阻剂层以曝光氧化层的一部分；在磊晶层的未被经图案化光阻剂层覆盖的部分中形成包含与第一导电类型相反的第二导电类型的第二掺杂剂的触点区；及形成上覆触点区的触点。形成半导体结构的方法能够改善光阻图案轮廓。
本发明授权形成半导体结构的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成一半导体结构的方法，其特征在于，包含： 在一基板的一主动区上方形成一栅极结构； 在该栅极结构的多个相对侧上的该主动区的多个部分上方形成一磊晶层，该磊晶层包含一第一导电类型的多个第一掺杂剂； 将包含臭氧及去离子水的一清洗溶液应用至该磊晶层，从而在该磊晶层上形成一氧化层； 在该氧化层及该栅极结构上方形成一经图案化光阻剂层，该经图案化光阻剂层曝光该氧化层的一部分； 在该磊晶层的未被该经图案化光阻剂层覆盖的该部分中形成一触点区，该触点区包含与该第一导电类型相反的一第二导电类型的多个第二掺杂剂；及 形成上覆该触点区的一触点。
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