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龙图腾网获悉江西乾照光电有限公司申请的专利一种LED芯片及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115020568B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210890107.2，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种LED芯片及其制作方法是由刘兆;霍丽艳;滕龙;吴洪浩;崔晓慧设计研发完成，并于2022-07-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片为倒装结构，包括依次排布的蓝宝石衬底、第一增透膜、第一半导体层和发光层，发光层包括第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层，通过在第一半导体层和蓝宝石衬底之间增加第一增透膜，以减少向蓝宝石衬底的出光方向上的反射光，增加透射光，从而提高对倒装LED芯片出射光的萃取效率，提升倒装LED芯片的外量子效率；并且，设置第一增透膜为MgxZn1‑xO层，使得MgxZn1‑xO层在起到增透作用的同时，还与GaN外延层的晶格失配更小，从而降低发光层的缺陷密度，提升倒装LED芯片的内量子效率，结合起来大大提高倒装LED芯片的发光效率。

本发明授权一种LED芯片及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为倒装结构，所述LED芯片包括： 蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底具有相对设置的出光面和背光面； 位于所述蓝宝石衬底的背光面一侧，沿背离所述蓝宝石衬底的方向依次排布的第一增透膜、第一半导体层和发光层，所述发光层包括沿背离所述蓝宝石衬底的方向依次排布的第一型GaN层、多量子阱层和第二型GaN层； 所述第一增透膜为MgxZn1-xO层，所述第一增透膜的厚度为第一反射光与第二反射光发生完全相消干涉所需的厚度，所述第一反射光为从所述发光层出射的光垂直入射至所述第一半导体层与所述第一增透膜的界面时的反射光，所述第二反射光为从所述发光层出射的光垂直入射至所述第一增透膜靠近所述蓝宝石衬底的表面时的反射光； 所述LED芯片还包括： 位于所述蓝宝石衬底和所述第一增透膜之间的第二增透膜； 所述第二增透膜的厚度为所述第二反射光与第三反射光发生完全相消干涉所需的厚度，所述第二反射光为从所述发光层出射的光垂直入射至所述第一增透膜和所述第二增透膜的界面时的反射光，所述第三反射光为从所述发光层出射的光垂直入射至所述第二增透膜与所述蓝宝石衬底的界面时的反射光； 所述第二增透膜为SiO2层。

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