南京大学王欣然获国家专利权
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龙图腾网获悉南京大学申请的专利二维半导体-金属欧姆接触结构、制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064588B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210466261.7，技术领域涉及：H10D64/62；该发明授权二维半导体-金属欧姆接触结构、制备方法及应用是由王欣然;李卫胜;于志浩;施毅设计研发完成，并于2022-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本二维半导体-金属欧姆接触结构、制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二维半导体‑金属欧姆接触结构、制备方法及应用，欧姆接触结构包括二维半导体层，二维半导体层上沉积半金属锑或含有半金属锑的合金形成欧姆接触，通过真空蒸镀的方式将半金属锑沉积在二维半导体层上，可以应用在半导体器件中。本发明可以实现金属‑二维半导体间超低接触电阻，显著提升二维半导体器件的性能。
本发明授权二维半导体-金属欧姆接触结构、制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种欧姆接触结构，其特征在于，包括二维半导体层，二维半导体层上沉积半金属锑或含有半金属锑的合金形成欧姆接触，所述半金属锑及其合金为012取向； 所述的欧姆接触结构的制备方法包括如下步骤： 将有二维半导体层的样品置于真空镀膜设备中； 抽真空至真空度高于10-6Torr后设备加热至预设温度50~600℃，进行真空镀膜，蒸镀速率0.05~0.3埃每秒，蒸镀1~30纳米，完成二维半导体材料层上的半金属锑或含有半金属锑的合金沉积。
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